技術領域

本發明涉及顯示技術，特別涉及一種補償電路、顯示驅動裝置和AMOLED顯示裝置。

背景技術

隨著顯示技術的發展，被稱為下一代顯示技術的有源矩陣有機發光二極管面板(Active?Matrix/Organic?Light?Emitting?Diode，簡稱：AMOLED)的應用也越來越重要。有機發光二極管(Organic?Light-EmittingDiode，以下簡稱：OLED)是AMOLED的發光部件，在驅動電路的驅動下，當有電流流過OLED時OLED發光。

目前在AMOLED顯示領域中，尤其是大尺寸基板的設計中，由于陣列基板TFT在工藝過程中的不均勻性以及不穩定性等問題，造成流經OLED電流的不均勻。為了解決由于TFT不均勻以及不穩定而造成的OLED電流不均勻的問題，為AMOLED的驅動電路增設補償電路。

圖1為現有技術中補償電路的結構示意圖，如圖1所示，該補償電路包括第一薄膜晶體管T1、第二薄膜晶體管T2、第三薄膜晶體管T3、第四薄膜晶體管T4和第五薄膜晶體管T5。第一薄膜晶體管T1的柵極與柵線連接，第一薄膜晶體管T1的源極與數據線連接；第二薄膜晶體管T2的源極與第一薄膜晶體管T1的漏極連接，第二薄膜晶體管T2的柵極與第一電源S1連接，第二薄膜晶體管T2的柵極與第二薄膜晶體管T2的漏極連接；第三薄膜晶體管T3的柵極與第二薄膜晶體管T2的漏極連接，第三薄膜晶體管T3的漏極與第一電源S1連接；第四薄膜晶體管T4的柵極與第二電源S2連接，第四薄膜晶體管T4的漏極與第三薄膜晶體管T3的源極連接，第四薄膜晶體管T4的源極用于與OLED連接；第五薄膜晶體管T5的柵極和源極與第二薄膜晶體管T2的源極連接，第五薄膜晶體管T5的漏極與第二薄膜晶體管T2的漏極連接。上述補償電路中，通過柵線和數據線對當前幀進行掃描。當柵線處于開啟狀態時，柵線向第一薄膜晶體管T1的柵極輸出開啟信號VGATE，第一薄膜晶體管T1開啟，本實施例中開啟狀態為低壓開啟狀態，柵極輸出的開啟信號為低電平信號。數據線通過開啟的第一薄膜晶體管T1向第二薄膜晶體管T2充電，將數據信號VDATA輸出至第二薄膜晶體管T2的源極，使第二薄膜晶體管T2的源極電壓(即圖中所示A點電壓)高于第二薄膜晶體管T2的漏極初始電壓。其中，漏極初始電壓為對前一幀掃描結束后第二薄膜晶體管T2的漏極電壓。第二薄膜晶體管T2的漏極與柵極連通，數據線向第二薄膜晶體管T2進行充電，使得第二薄膜晶體管T2的源極電壓高于漏極電壓(即圖中所示B點電壓)，此時，第二薄膜晶體管T2處于二極管導通狀態。則第二薄膜晶體管T2的漏極電壓Vd＝VDATA-Vth2+V0，其中，VDATA為第二薄膜晶體管T2的源極電壓，Vth2為第二薄膜晶體管T2的閾值電壓，V0為第二薄膜晶體管T2的漏極初始電壓。當數據線對第二薄膜晶體管T2的充電過程結束時，第二電源S2向第四薄膜晶體管T4輸出開啟信號，第四薄膜晶體管T4開啟，其中，本實施例中第二電源S2輸出的開啟信號為低電平信號。同時由于第三薄膜晶體管T3處于飽和開啟狀態，則流經第三薄膜晶體管T3的電流通過第四薄膜晶體管T4流經發光二極管D1，使發光二極管D1發光，其中該發光二極管D1為OLED。其中，I3＝1/2×K×(Vgs-Vth3)²＝1/2×K×(VDD-Vg-Vth3)²＝1/2×K×(VDD-Vd-Vth3)²＝1/2×K×(VDD-VDATA+Vth2-V0-Vth3)²＝1/2×K×(VDD-VDATA-V0)²。根據薄膜晶體管工藝特性中的短程近似特性，臨近的薄膜晶體管的Vth是相等的，由于第二薄膜晶體管T2和第三薄膜晶體管T3相鄰，因此Vth2等于Vth3。Vgs為第三薄膜晶體管T3的柵源電壓，Vg為第三薄膜晶體管T3的柵極電壓，該Vg等于Vd；VDD為第一電源S1向第三薄膜晶體管T3的漏極輸出的電壓；K＝W/L×C×U，其中，W為第三薄膜晶體管T3的溝道寬度，L為第三薄膜晶體管T3的溝道長度，C為第三薄膜晶體管T3的溝道和柵極的電容，U為第三薄膜晶體管T3的溝道遷移率。現有技術中，在對前一幀掃描結束后，對當前幀掃描開始時，第二薄膜晶體管T2的漏極初始電壓V0為前一幀掃描結束時殘留的第二薄膜晶體管T2的漏極電壓，從上述流經第三薄膜晶體管T3的電流I3的公式中可以看出，流經第三薄膜晶體管T3的電流受到前一幀掃描結束后第二薄膜晶體管T2的漏極初始電壓V0的影響，從而使流經發光二極管的電流受到第二薄膜晶體管的漏極初始電壓的影響。