[發(fā)明專(zhuān)利]WSI線性顆粒的解決方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110143790.5 | 申請(qǐng)日： | 2011-05-31 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN102810458A | 公開(kāi)（公告）日： | 2012-12-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 呂淑瑞 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 無(wú)錫華潤(rùn)上華半導(dǎo)體有限公司;無(wú)錫華潤(rùn)上華科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L21/02 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 暫無(wú)信息 | 代理人： | 暫無(wú)信息 |
| 地址： | 214028 江蘇省無(wú)*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | wsi 線性 顆粒 解決方法 | ||
1.一種消除WSI線形顆粒的解決方法，其特征在于：首先將圓片放入酸槽的酸液中，酸液的成份為HF∶H2O＝1∶50并且酸液處于循環(huán)狀態(tài)；其次，每隔20S提起圓片一次，讓循環(huán)的酸液充分帶走顆粒；然后，再次將圓片放入酸液內(nèi)，這樣N個(gè)循環(huán)(N＞1)后將圓片沖水且甩干。
2.如權(quán)利要求1所述的消除WSI線形顆粒的解決方法，其特征在于：N＝3時(shí)工藝效果最佳。
3.如權(quán)利要求1所述的消除WSI線形顆粒的解決方法，其特征在于：每次提起圓片時(shí)可以加入沖水及甩干流程。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的消除WSI線形顆粒的解決方法，其特征在于：整個(gè)流程為自動(dòng)完成。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
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