1.一種形成栓塞結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，包括：

提供基底，在所述基底上形成有具有第一栓塞的第一介質(zhì)層；

在所述第一介質(zhì)層和第一栓塞組成的表面上形成具有通孔的第二介質(zhì)層，所述通孔底部暴露出所述第一栓塞；

利用無電解鍍方法在所述通孔內(nèi)形成表面高出第一栓塞頂面的第一導(dǎo)電層；

在所述通孔內(nèi)形成第二導(dǎo)電層，覆蓋所述第一導(dǎo)電層，且所述第二導(dǎo)電層的表面與所述第二介質(zhì)層的表面相平，所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層構(gòu)成第二栓塞，所述栓塞結(jié)構(gòu)包括所述第一栓塞和第二栓塞。

2.如權(quán)利要求1所述的形成栓塞結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層的材料為鈷鎢磷或者鈷鉬磷。

3.如權(quán)利要求1所述的形成栓塞結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層的材料選自銅或者鎢。

4.如權(quán)利要求3所述的形成栓塞結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，形成第二導(dǎo)電層的方法為物理氣相沉積或電鍍。

5.如權(quán)利要求4所述的形成栓塞結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，在所述通孔內(nèi)形成第二導(dǎo)電層，覆蓋所述第一導(dǎo)電層，且所述第二導(dǎo)電層的表面與所述第二介質(zhì)層的表面相平包括：

形成第一導(dǎo)電層后，在所述通孔內(nèi)填滿第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層高出所述通孔；

平坦化所述第二導(dǎo)電層，去除高出所述通孔的第二導(dǎo)電層，使所述第二導(dǎo)電層的表面與所述第二介質(zhì)層的表面相平。

6.如權(quán)利要求1所述的形成栓塞結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，在所述半導(dǎo)體基底上形成具有通孔的第二介質(zhì)層的方法為：

在所述半導(dǎo)體基底上形成第二介質(zhì)層；

在所述第二介質(zhì)層上形成光刻膠層；

曝光、顯影所述光刻膠層，形成圖形化的光刻膠層，定義出通孔的位置；

以所述圖形化的光刻膠層為掩膜刻蝕所述第二介質(zhì)層形成通孔。

7.如權(quán)利要求6所述的形成栓塞結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，所述第一介質(zhì)層、第二介質(zhì)層的材料選自氮化硅、摻碳氮、低k材料、超低k材料其中之一或者它們的任意組合。

8.如權(quán)利要求7所述的形成栓塞結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，所述低k材料選自SiO₂、SiOF、SiCOH、SiO、SiCO、SiCON其中之一或者它們的任意組合。

9.如權(quán)利要求7所述的形成栓塞結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，所述超低k材料為黑鉆石。

10.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，包括：用權(quán)利要求1～9任一項(xiàng)所述的方法形成栓塞結(jié)構(gòu)。