1.一種制作金屬凸塊與熔接金屬的制程方法，其特征在于，其步驟包括：

一第一道制程，用以制作金屬凸塊結(jié)構(gòu)于一半導(dǎo)體元件表面；以及

一第二道制程，用以制作該金屬凸塊表面不同面積的熔接金屬結(jié)構(gòu)；其中，

所述第一道制程包含下列步驟：

涂布或壓合一第一光阻層于該半導(dǎo)體元件表面；

以曝光顯影方法定義金屬凸塊結(jié)構(gòu)的位置及幾何形狀；

以金屬鍍膜方法鍍上金屬凸塊結(jié)構(gòu)的金屬材料；

以及

去除第一光阻層，以形成金屬凸塊結(jié)構(gòu)；

所述第二道制程包含下列步驟：

涂布或壓合一第二光阻層于半導(dǎo)體元件及金屬凸塊結(jié)構(gòu)表面；

以曝光顯影方法定義熔接金屬的位置及幾何形狀；

以金屬鍍膜方法鍍上一熔接金屬層的金屬材料；以及

去除第二光阻層，形成熔接金屬于金屬凸塊結(jié)構(gòu)之上。

2.如權(quán)利要求1所述的制作金屬凸塊與熔接金屬的制程方法，其特征在于，所述第一道制程包含的步驟中，在去除第一光阻層之前，進(jìn)一步包含以金屬鍍膜方法鍍上一熔接金屬的浸潤層。

3.如權(quán)利要求1所述的制作金屬凸塊與熔接金屬的制程方法，其特征在于，所述第一道制程及所述第二道制程中的金屬鍍膜方法是濺鍍、蒸鍍或電鍍。

4.如權(quán)利要求1所述的制作金屬凸塊與熔接金屬的制程方法，其特征在于，熔接金屬層的位置及幾何形狀是依金屬凸塊結(jié)構(gòu)的位置與幾何形狀。

5.如權(quán)利要求1所述的制作金屬凸塊與熔接金屬的制程方法，其特征在于，金屬凸塊結(jié)構(gòu)的金屬材料是銅。

6.如權(quán)利要求1所述的制作金屬凸塊與熔接金屬的制程方法，其特征在于，金屬凸塊結(jié)構(gòu)的金屬材料是金。

7.如權(quán)利要求1所述的制作金屬凸塊與熔接金屬的制程方法，其特征在于，熔接金屬層的金屬材料是銦。

8.如權(quán)利要求1所述的制作金屬凸塊與熔接金屬的制程方法，其特征在于，熔接金屬層的金屬材料是錫。

9.如權(quán)利要求1所述的制作金屬凸塊與熔接金屬的制程方法，其特征在于，熔接金屬層的金屬材料是以錫為主要成份的合金或是以銦為主要成份的合金。