1.一種大尺寸紫外級氟化鈣單晶的生長方法及其裝置，其特征在于：采用頂部籽晶中心可調提拉結構、雙加熱純金屬發熱體、雙控溫加熱系統，創造一個可動態調節溫度梯度和溫場中心的特殊高溫真空晶體爐。

2.一種大尺寸紫外級氟化鈣單晶的生長方法及其裝置，其特征在于：將提拉法(CZ)、坩堝下降法、泡生法和溫梯法(TGT)各優點結合在一起，獨創出頂部籽晶溫度梯度法(TSTGT法)，通過裝爐、抽高真空、升溫化料、洗籽晶、提拉法下種、提拉法“縮徑工藝”、提拉法“放肩工藝”、泡生法“等徑工藝”、TGT法等徑生長(控徑技術為CZ稱重)、CZ法收尾&脫坩堝、退火，生長出更大尺寸高品質氟化鈣單晶。

3.根據權利要求1所述一種大尺寸紫外級氟化鈣單晶的生長方法及其裝置，包括提拉結構，所述的提拉結構中心可調，下與爐蓋和爐膛相連，所述的爐膛中設置有法蘭座、雙金屬發熱體、保溫罩和坩堝。

4.根據權利要求1所述一種大尺寸紫外級氟化鈣單晶的生長方法及其裝置，其特征在于：所述全金屬發熱體采用了頂部帶四周加熱技術，發熱體不帶任何石墨或碳成分。四周金屬發熱體分為內外兩套，可分別獨立控溫，在晶體生長時，可以動態調整垂直溫度梯度，得到最佳的晶體生長垂直溫梯；在晶體生長后期，可以調整垂直溫梯到較低甚至接近于零，實現晶體原位退火，避免了退火時因溫度梯度較大而產生內部應力，而使晶體開裂。頂部金屬發熱體也可獨立控溫，在晶體生長時，動態調整水平溫度梯度，使晶體生長區水平溫梯幾乎為零。