[發明專利]太陽能電池單元的制造方法無效
| 申請號： | 201080047528.4 | 申請日： | 2010-10-21 |
| 公開（公告）號： | CN102598291A | 公開（公告）日： | 2012-07-18 |
| 發明（設計）人： | 岡庭香 | 申請（專利權）人： | 日立化成工業株式會社 |
| 主分類號： | H01L31/04 | 分類號： | H01L31/04 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 蔣亭 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 太陽能電池 單元 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種太陽能電池單元的制造方法，其為具有pn結的太陽能電池單元的制造方法，包括：
在半導體基板上涂布包含成為受主的雜質的擴散用涂布液，通過熱擴散處理擴散所述雜質形成p型層的工序；和/或
在半導體基板上涂布包含成為施主的雜質的擴散用涂布液，通過熱擴散處理擴散所述雜質形成n型層的工序。
2.根據權利要求1所述的太陽能電池單元的制造方法，其特征在于，包含：在形成所述p型層之后，在該p型層上形成厚度為1～5μm的整面狀的電極層的工序。
3.根據權利要求2所述的太陽能電池單元的制造方法，其特征在于，以所述電極層的片電阻為1×10-4Ω/□以下的方式進行設定。
4.根據權利要求1所述的太陽能電池單元的制造方法，其特征在于，包含：在形成所述p型層之后，在該p型層上形成非整面狀的電極層的工序。
5.根據權利要求4所述的太陽能電池單元的制造方法，其特征在于，所述非整面狀的電極為由母線電極以及與該母線電極交叉的指狀電極構成的電極。
6.根據權利要求4所述的太陽能電池單元的制造方法，其特征在于，所述非整面狀的電極為網眼狀的電極。
7.根據權利要求1～6中任一項所述的太陽能電池單元的制造方法，其特征在于，所述半導體基板由多晶硅形成。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
