技術領域

本實用新型是關于一種柱狀電極，尤其指一種具有冷卻結構的柱狀電極。

背景技術

濺鍍技術在半導體產業中的應用非常廣泛，主要使用在金屬薄膜的制鍍，或是用來修正或產生圓片集成電路上的電氣特性。磁控濺鍍是一種在系統內多增加磁場的濺鍍方法，電子因為磁力線的影響，而螺旋性的前進。這樣可以大幅增加氣體的離子密度以及碰撞機會。離子密度一旦增加，濺鍍率亦可以大幅度的提高。

柱狀電極是一種具有圓柱狀結構的電極，其應用于磁控濺鍍系統中，可對一般不可撓或可撓式基板進行濺鍍，以及進行其它的應用。

如圖1所示，是一公知的濺鍍裝置1，此濺鍍裝置1包含有一真空腔體10以及一柱狀電極11，其柱狀電極11包括有：一圓柱狀的中空殼體12、一入液管13、一出液管14、以及復數個磁石15。圓柱狀的中空殼體12具有一中空腔體16，入液管13連通至中空腔體16內，用以輸入冷卻水至中空腔體16中；出液管14亦與中空腔體16連通，以將冷卻水由中空腔體16中排出。

由于一般柱狀電極11于使用過程中會產生熱，而影響濺鍍率，因此需要設置如入液管13以及出液管14等冷卻裝置來降低柱狀電極11的溫度。然而，公知技術中，此種以水充滿整個柱狀電極內部腔體的方法可達到的冷卻效果并不佳，其推測是由于腔體過大而造成水流流速過低，因此冷卻水無法有效將熱量排出。此外，此種設計中需要大量的冷卻水，對于使用上的成本計算，將是一個很大的問題。再者，此公知的柱狀電極11于使用過程中，磁石15是完全浸泡于冷卻水內，如此則更使組件壽命減低。

因此，為了解決上述公知的柱狀電極所具有的缺點，本領域亟需一種新穎的柱狀電極，使可具有高散熱效果的特性，并可有效減少冷卻水用量，并同時可提高組件使用壽命。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種柱狀電極，以克服公知技術中存在的缺陷。

為實現上述目的，本實用新型提供的柱狀電極，包括：

一中空外殼體；

一中空內殼體，配置于該中空外殼體內，其中，該中空內殼體與該中空外殼體之間形成一冷卻腔，該中空內殼體內具有一中空內腔體；

至少一磁石，布設于該中空內殼體的中空內腔體內；

一托座，其中，該中空外殼體以及該中空內殼體組設于該托座上；

一第一輸液管，連通至該冷卻腔；以及

一第二輸液管，連通至該冷卻腔。

所述的柱狀電極，其中該第一輸液管貫穿該中空內腔體，且該第一輸液管的一第一管口配置于該中空內殼體的頂端。

所述的柱狀電極，其中包括一電源供應源，與該托座電性耦接。

所述的柱狀電極，其中包括一密封墊，配置于該中空外殼體及中空內殼體與該托座之間。

所述的柱狀電極，其中包括多數個磁石。

所述的柱狀電極，其中該中空外殼體的內直徑與該中空內殼體的外直徑差為2mm至20mm。

所述的柱狀電極，其中該中空外殼體的內直徑與該中空內殼體的外直徑差為5mm至15mm。

所述的柱狀電極，其中該中空外殼體的外直徑為80mm至200mm。

所述的柱狀電極，其中該中空外殼體的外直徑為100mm至180mm。

所述的柱狀電極，其中該磁石為一永久磁鐵。

本實用新型提供的具冷卻結構的柱狀電極，是利用一中空內殼體而將中空外殼體內的空間分隔，而形成一獨立的冷卻腔以及中空內腔體，并使冷卻水僅可于接近中空外殼體表面的冷卻腔內流動(使中空內腔體不需充滿水)，因此可大幅節省冷卻水的使用量，降低使用成本。

此外，經由實驗證實，由于本實用新型的柱狀電極中冷卻水流經空間(即冷卻腔)相較于傳統柱狀電極中冷卻水流經空間來的小，因此冷卻水于冷卻腔內的流速可被有效地增加，進而提升降溫的效果。因此，本實用新型的柱狀電極的冷卻結構可達到的冷卻效率較公知的柱狀電極的冷卻結構更佳。

再者，由于本實用新型的柱狀電極中具有一中空內腔體，使磁石可容置于此中空內腔體中而不與水接觸，因此可提升磁石的組件使用壽命。

附圖說明

圖1是一公知的濺鍍裝置的示意圖。

圖2是本實用新型一較佳實施例的濺鍍裝置的示意圖。

圖3是本實用新型另一較佳實施例的柱狀電極的示意圖。

附圖中主要組件符號說明：