1.一種用于半導體太陽能鍍膜的工藝腔室，包括腔壁、氣體注射器、承受器以及支撐架，所述的氣體注射器設置在腔壁的上端，所述的承受器設置在氣體注射器的下端，其特征在于：還包括一支撐栓底板，該支撐栓底板設置在承受器的下端，在所述的支撐栓底板上設置有至少三個支撐栓，該至少三個支撐栓用于支撐一平面構件，在所述的承受器上設置有支撐栓孔，所述的承受器套在所述的支撐栓上。

2.根據權利要求1所述的用于半導體太陽能鍍膜的工藝腔室，其特征在于：所述的支撐栓為四個且成矩形布置。

3.根據權利要求1所述的用于半導體太陽能鍍膜的工藝腔室，其特征在于：所述的支撐栓為五個，包括成矩形布置的四個和居于矩形中間的一個。

4.根據權利要求1所述的用于半導體太陽能鍍膜的工藝腔室，其特征在于：所述的支撐栓為六個，包括成矩形布置的四個和居于矩形中間的兩個。

5.根據權利要求1所述的用于半導體太陽能鍍膜的工藝腔室，其特征在于：在所述的承受器外側的腔壁上設置有緩沖層。

6.根據權利要求5所述的用于半導體太陽能鍍膜的工藝腔室，其特征在于：所述的承受器包括表面層、熱量分配層、電阻絲加熱層和底部背板層，所述的表面層與熱量分配層可拆分連接。

7.根據權利要求6所述的用于半導體太陽能鍍膜的工藝腔室，其特征在于：所述的表面層下端面設置凸臺，在所述的熱量分配層上端面設置凹槽，所說的表面層嵌合在所述的熱量分配層內。

8.根據權利要求6所述的用于半導體太陽能鍍膜的工藝腔室，其特征在于：所述的承受器還包括陶瓷護套，該陶瓷護套可拆分連接在承受器的外周，且其上端高于承受器表面層上端面。

9.根據權利要求8所述的用于半導體太陽能鍍膜的工藝腔室，其特征在于：所述的陶瓷護套與承受器嵌合。

10.根據權利要求6所述的用于半導體太陽能鍍膜的工藝腔室，其特征在于：所述的表面層為石墨層。