1.一種用于制備光致抗蝕劑圖案的方法，所述方法包括以下步驟(A)至(D)：

(A)在基底上涂覆第一光致抗蝕劑組合物以形成第一光致抗蝕劑膜，將所述第一光致抗蝕劑膜曝光于輻射，然后用堿性顯影液將曝光的第一光致抗蝕劑膜顯影，從而形成第一光致抗蝕劑圖案的步驟，所述第一光致抗蝕劑組合物包含樹脂、酸生成劑和交聯(lián)劑，所述樹脂包含在其側(cè)鏈中具有酸不穩(wěn)定基團的結(jié)構(gòu)單元，

(B)使所述第一光致抗蝕劑圖案對以下步驟(C)中的輻射惰性、使所述第一光致抗蝕劑圖案不溶于堿性顯影液或者使所述第一光致抗蝕劑圖案不溶于在以下步驟(C)中使用的第二光致抗蝕劑組合物的步驟，

(C)在步驟(B)中獲得的所述第一光致抗蝕劑圖案上，涂覆第二光致抗蝕劑組合物以形成第二光致抗蝕劑膜，將所述第二光致抗蝕劑膜曝光于輻射的步驟，所述第二光致抗蝕劑組合物包含：

樹脂，所述樹脂包含在其側(cè)鏈中具有酸不穩(wěn)定基團的結(jié)構(gòu)單元，和

至少一種酸生成劑，所述至少一種酸生成劑選自由式(I)所示的光致酸生成劑和式(II)所示的光致酸生成劑組成的組：

在式(I)中，R¹和R²獨立地表示C1-C12烷基或可以具有一個或多個取代基的C6-C18芳族烴基，R³表示C1-C12烷基，或者R²和R³彼此結(jié)合形成C3-C12二價無環(huán)烴基，所述二價無環(huán)烴基與S一起形成環(huán)，并且所述C3-C12二價無環(huán)烴基中的一個或多個-CH₂-可以被-O-代替，并且A₁^-表示有機陰離子，

在式(II)中，R⁴和R⁵獨立地表示C1-C12烷基、C3-C18飽和環(huán)狀烴基或C6-C18芳族烴基，或者R⁴和R⁵彼此結(jié)合形成C3-C12二價無環(huán)烴基，所述二?價無環(huán)烴基與S一起形成環(huán)，并且所述C3-C12二價無環(huán)烴基中的一個或多個-CH₂-可以被-O-代替，R⁶表示氫原子，R⁷表示C1-C12烷基、C3-C18飽和環(huán)狀烴基或可以具有一個或多個取代基的C6-C18芳族烴基，或者R⁶和R⁷彼此連接形成C1-C10二價無環(huán)烴基，所述二價無環(huán)烴基與R⁶和R⁷所結(jié)合的-CHCO-一起形成2-氧代環(huán)烷基，并且A₂^-表示有機陰離子，和

(D)用堿性顯影液將曝光的所述第二光致抗蝕劑膜顯影，從而形成第二光致抗蝕劑圖案的步驟。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述步驟(A)包括以下步驟(1a)至(5a)：

(1a)在基底上涂覆第一光致抗蝕劑組合物，接著進行干燥，由此形成第一光致抗蝕劑膜的步驟，所述第一光致抗蝕劑組合物包含樹脂、酸生成劑和交聯(lián)劑，所述樹脂包含在其側(cè)鏈中具有酸不穩(wěn)定基團的結(jié)構(gòu)單元并且本身不溶于或難溶于堿性水溶液，但通過酸的作用變得可溶于堿性水溶液，

(2a)將形成的所述第一光致抗蝕劑膜進行烘焙的步驟，

(3a)將烘焙的所述第一光致抗蝕劑膜曝光于輻射的步驟，

(4a)將曝光的所述第一光致抗蝕劑膜進行烘焙的步驟，和

(5a)用堿性顯影液將步驟(4a)中烘焙的所述第一光致抗蝕劑膜顯影，由此形成第一光致抗蝕劑圖案的步驟。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述步驟(B)包括以下步驟(6a)：

(6a)將所述第一光致抗蝕劑圖案進行烘焙的步驟?。