[發明專利]光電元件及其元件基板無效
| 申請號: | 201010610299.4 | 申請日: | 2010-12-16 |
| 公開(公告)號: | CN102487127A | 公開(公告)日: | 2012-06-06 |
| 發明(設計)人: | 謝志瑋;鄭貴元;周大鑫 | 申請(專利權)人: | 財團法人工業技術研究院 |
| 主分類號: | H01L51/42 | 分類號: | H01L51/42;H01L51/44 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁揮;祁建國 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光電 元件 及其 | ||
技術領域
本發明涉及光電元件及其元件基板,特別是涉及有機太陽電池元件及其元件基板。
背景技術
有機太陽電池相較于硅基太陽電池具有可卷曲、透明、輕巧及成本低等的優勢,因此應用的領域更為廣泛。然而,大氣中的紫外線會損壞有機太陽電池,致使有機太陽電池有使用壽命短及效能低的問題。
發明內容
本發明的目的是提供一種光電元件及其元件基板。元件基板對于可見光具有高的穿透率,而對于紫外光具有低的穿透率,使光電元件具有高效能及長壽命的特性。
根據本發明的目的,提出一種光電元件的元件基板。元件基板包括一第一基材、一突出部及一第一電極。突出部自第一基材突出。突出部具有實質上對稱的類蛾眼結構。突出部的結構周期實質上是100nm至300nm。突出部的高度實質上是50nm至300nm。突出部的頂表面中心朝向第一基材側的曲率半徑實質上是20nm至100nm。第一電極等厚度地覆蓋在突出部上,且第一電極具有如突出部的類蛾眼結構。
所述的光電元件的元件基板,其中,該突出部中底表面中心背向該第一基材側的曲率半徑實質上是20nm至100nm。
所述的光電元件的元件基板,其中,還包括一第二基材,其中該第二基材與該突出部位于該第一基材的相對側上。
所述的光電元件的元件基板,其中,該第一基材的折射率與該第二基材的折射率實質上相差0至0.2。
所述的光電元件的元件基板,其中,該第二基材的折射率實質上為1.4至1.6。
所述的光電元件的元件基板,其中,該第一基材的折射率與該第一電極的折射率實質上相差0.4至1。
所述的光電元件的元件基板,其中,該第一基材的折射率實質上為1.4至1.6,該第一電極的折射率實質上為2至2.4。
根據本發明的目的,也提出一種光電元件。光電元件包括一元件基板、一主動層及一第二電極。元件基板包括一第一基材、一突出部及一第一電極。突出部自第一基材突出。突出部具有實質上對稱的類蛾眼結構。突出部的結構周期實質上是100nm至300nm。突出部的高度實質上是50nm至300nm。突出部的頂表面中心朝向第一基材側的曲率半徑實質上是20nm至100nm。第一電極等厚度地覆蓋在突出部上,且第一電極具有如突出部的類蛾眼結構。主動層配置于第一電極上。第二電極配置于主動層上。
所述的光電元件,其中,該主動層具有如該第一電極的類蛾眼結構。
所述的光電元件,其中,該第二電極具有如該第一電極的類蛾眼結構。
與現有技術相比,本發明提供的元件基板對于可見光具有高的穿透率,而對于紫外光具有低的穿透率,使光電元件具有高效能及長壽命的特性。
附圖說明
圖1繪示本發明第一實施例的元件基板的剖面圖;
圖2與圖3繪示圖1中以切面A-A’的突出部排列示意圖;
圖4繪示本發明第二實施例的元件基板;
圖5為元件基板的光穿透率分析的結果;
圖6為元件基板的穿透光頻譜照度分析的結果;
圖7繪示本發明第三實施例的光電元件;
圖8繪示本發明第四實施例的光電元件;
圖9繪示本發明第五實施例的光電元件;
圖10繪示本發明第六實施例的光電元件。
其中,附圖標記:
2、12、22、32、42、52:元件基板
4、14、34:第一基材
6、16、36:突出部
8、18、28、38、48、58:第一電極
15、35:第二基材
23、33、43、53:主動層
27、37、47、57:第二電極
29、39、49、59:封裝層
30、40、50、60:光電元件
A-A’:切面
C1、C2:突出部的底表面中心
D1:突出部的頂表面中心之間的距離
D2:突出部的底表面中心之間的距離
D3:突出部的高度
T1、T2:突出部的頂表面中心
R1、R2:曲率半徑
具體實施方式
為讓本發明的上述目的、特征、和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,并配合所附圖式,作詳細說明如下:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





