1.一種接合材料，包括：

有機高分子；以及

無機粉末均勻分散于該有機高分子之間，

其中該有機高分子與該無機粉末之重量比為50∶50至10∶90；以及

其中該無機粉末包含均勻混合的氧化銅與摻雜物，該氧化銅與該摻雜物之摩爾比為99.5∶0.5至99.9∶0.1，且該摻雜物系鋅、錫、銦、或上述之組合。

2.如權利要求1所述的接合材料，其中該有機高分子包括PVB、PVA、甲基纖維素、或上述之組合。

3.如權利要求1所述的接合材料，其中該無機粉末之粒徑分布為20nm至300nm。

4.一種接合方法，包括：

以權利要求1所述的接合材料接合散熱基板與銅層；以及

加熱該接合材料，使該接合材料之無機粉末、部分該散熱基板、與部分該銅層形成共熔層。

5.如權利要求4所述的接合方法，其中該散熱基板包括氧化鋁、氮化鋁、或氧化鋯，且該共熔層包括摻雜有鋅、錫、銦、或上述之組合的氧化銅鋁、氮氧化銅鋁、或氧化銅鋯。

6.如權利要求4所述的接合方法，其中加熱該接合材料，使該接合材料與部分該散熱基板形成該共熔層的溫度為950℃至1000℃。

7.如權利要求4所述的接合方法，其中加熱該接合材料，使該接合材料與部分該散熱基板形成該共熔層的制程氣體為氮氣。

8.如權利要求4所述的接合方法，其中將該接合材料形成于散熱基板與銅層之間的步驟包括印刷法或旋轉涂布法。

9.一種接合結構，包括：

散熱基板；

共熔層，位于該散熱基板上；以及

銅層，位于該共熔層上，

其中該散熱基板包括氧化鋁、氮化鋁、或氧化鋯，且該共熔層包括摻雜有鋅、錫、銦、或上述之組合的氧化銅鋁、氮氧化銅鋁、或氧化銅鋯。

10.如權利要求9所述的接合結構，其中該共熔層及/或該銅層包括連續層狀結構或不連續的圖案。

11.如權利要求9所述的接合結構，其中該共熔層的厚度為1μm至20μm。

12.如權利要求9所述的接合結構，其中該銅層的厚度為100μm至500μm。