1.一種RF饋電結構，包括：

第一RF饋電器，所述第一RF饋電器具有配置成接收RF功率的第一端和配置成將RF功率耦合到多個對稱布置的堆疊的第一RF線圈元件并與該第一端相對的第二端；

第二RF饋電器，所述第二RF饋電器圍繞所述第一RF饋電器同軸設置并與所述第一RF饋電器電絕緣，所述第二RF饋電器具有配置成接收RF功率的第一端和配置成將RF功率耦合到多個對稱布置的堆疊的第二RF線圈元件并與該第一端相對的第二端，其中所述第二RF線圈元件與所述第一RF線圈元件同軸設置。

2.根據權利要求1所述的RF饋電結構，其中所述第一和第二RF饋電器圍繞中心軸同軸地設置并為大致線性。

3.根據權利要求1所述的RF饋電結構，其中：

所述第一RF饋電器進一步包括鄰近所述第一RF饋電器的第一端并圍繞所述第一RF饋電器對稱設置的多個第一終端；以及

所述第二RF饋電器進一步包括鄰近所述第二RF饋電器的第二端并圍繞所述第二RF饋電器對稱設置的多個第二終端，每個所述第二終端用于將所述第二RF饋電器耦接到第二線圈元件。

4.根據權利要求3所述的RF饋電結構，其中所述第一RF饋電器進一步包括耦接到所述第一RF饋電器的第一端的基座，所述基座具有多個設置在其上的第一終端，并且其中所述第二RF饋電器進一步包括圍繞所述第二RF饋電器并鄰近所述第二RF饋電器的第二端耦接到所述第二RF饋電器的環形凸緣，所述環形凸緣具有設置在其上的所述多個第二終端。

5.根據權利要求1所述的RF饋電結構，其中所述第二RF饋電器進一步包括：

圍繞所述第一RF饋電器同軸設置的導電管。

6.根據權利要求5所述的RF饋電結構，其中所述導電管具有約2英寸到約8英寸(約5cm到約20cm)之間的長度。

7.根據權利要求1所述的RF饋電結構，其中所述第二RF饋電器進一步包括：

圍繞所述第二RF饋電器并鄰近所述第二RF饋電器的第二端耦接到所述第二RF饋電器的環形盤，所述環形盤配置成將RF功率耦合到所述第二RF饋電器。

8.根據權利要求1所述的RF饋電結構，其中所述第一和第二RF饋電器具有一長度，使得通過RF電流在所述第一和第二RF饋電器中流動所形成的磁場對通過RF電流在所述第一和第二RF線圈元件中流動所形成的電場的對稱性基本上沒有影響。

9.一種等離子體處理設備，包括：

第一RF線圈；

第二RF線圈，所述第二RF線圈圍繞所述第一RF線圈同軸設置；

第一RF饋電器，所述第一RF饋電器耦接到所述第一RF線圈以將RF功率提供給所述第一RF線圈；以及

第二RF饋電器，所述第二RF饋電器圍繞所述第一RF饋電器同軸設置并與所述第一RF饋電器電絕緣，所述第二RF饋電器耦接到所述第二RF線圈以將RF功率提供給所述第二RF線圈。

10.根據權利要求9所述的等離子體處理設備，其中所述第二RF饋電器進一步包括：

圍繞所述第一RF饋電器同軸設置的導電管，所述導電管具有鄰近所述第二RF線圈的第一端以及與所述第一端相對的第二端。

11.根據權利要求10所述的等離子體處理設備，其中所述第二RF饋電器進一步包括：

圍繞所述導電管并鄰近所述導電管的第二端耦接到所述導電管的環形盤，所述環形盤配置成將RF功率耦合到所述第二RF饋電器。

12.根據權利要求9所述的等離子體處理設備，進一步包括：

耦接到所述第一和第二RF饋電器的匹配網絡，所述匹配網絡配置成將RF功率耦合到所述第一和第二RF饋電器；以及

用于在所述第一和第二RF饋電器之間以所需功率比率來分配功率的功率分配器，所述功率分配器為匹配網絡的一部分或設置在匹配網絡的輸出端與RF饋電結構之間。

13.根據權利要求12所述的等離子體處理設備，進一步包括：

耦接到所述匹配網絡以將RF功率提供給所述第一和第二RF線圈的RF電源。

14.根據權利要求9所述的等離子體處理設備，其中所述第一RF線圈為內線圈，并且所述第二RF線圈為外線圈。