1.一種壓電雙晶片式MEMS能量采集器，其特征在于，包括：若干壓電雙晶片懸臂梁，每個壓電雙晶片懸臂梁包括：硅固定基座、壓電雙晶片和質(zhì)量塊，其中：壓電雙晶片的一端固定在硅固定基座上，壓電雙晶片的另一端懸空，質(zhì)量塊固定在壓電雙晶片的懸空端；

所述的壓電雙晶片包括：金屬基片、兩層壓電薄膜和兩層電極，其中：第一層壓電薄膜位于金屬基片的上表面，第二層壓電薄膜位于金屬基片的下表面，第一層電極位于第一層壓電薄膜的上表面，第二層電極位于第二層壓電薄膜的下表面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓電雙晶片式MEMS能量采集器，其特征是，所述的質(zhì)量塊是鎳金屬塊，或者是鎢金屬塊。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓電雙晶片式MEMS能量采集器，其特征是，所述的金屬基片是銅片，或者是鋁合金片，其厚度范圍是10μm-20μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓電雙晶片式MEMS能量采集器，其特征是，所述的壓電薄膜是壓電陶瓷薄膜，其厚度范圍是5μm-10μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓電雙晶片式MEMS能量采集器，其特征是，所述的電極是Cr，或者是Ni，或者是NiCr合金，或者是Cr/Cu合金，或者是鈦/Pt合金。

6.一種根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓電雙晶片式MEMS能量采集器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

第一步，使用提拉法使金屬基片的上下表面附有壓電薄膜，并在壓電薄膜上濺射或蒸發(fā)一層金屬材料，從而得到壓電雙晶片；

第二步，使用膠粘貼方法將壓電雙晶片粘貼在硅片的上表面；

第三步，使用微加工工藝在硅片的下表面形成一個矩形槽；

第四步，使用切片機(jī)切割硅片和壓電雙晶片，將硅片分為若干獨立的硅固定基座，相應(yīng)的壓電雙晶片分為若干獨立的壓電雙晶片，使每個硅固定基座上的壓電雙晶片的一端固定，另一端懸空；

第五步，采用SU8膠工藝制備若干質(zhì)量塊，并使用膠粘貼方法使每個壓電雙晶片的懸空端粘有一個質(zhì)量塊；

第六步，沿著壓電雙晶片厚度方向?qū)弘婋p晶片進(jìn)行極化。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的壓電雙晶片式MEMS能量采集器的制備方法，其特征是，所述的提拉法，具體是：以5mm/min-10mm/min的提拉速度使金屬基片在壓電薄膜中提膜，提一次膜后立即在100℃-150℃溫度大氣環(huán)境下烘10min-15min，再將其冷至室溫，然后再進(jìn)行下一次提膜，待N次提膜結(jié)束后，將其在500℃-700℃退火2h。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的壓電雙晶片式MEMS能量采集器的制備方法，其特征是，所述的膠粘貼方法是通過絲網(wǎng)印刷法將厚度小于2um的環(huán)氧樹脂膠涂在質(zhì)量塊或者壓電雙晶片上。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的壓電雙晶片式MEMS能量采集器的制備方法，其特征是，所述的微加工工藝包括：光刻、顯影、濕法SiO₂刻蝕、濕法體Si加工、干法Si加工、干法SiO₂刻蝕和離子銑刻蝕。