1.一種用于功率芯片的基準電壓和偏置電流產生電路，其特征在于，包含依 次電路連接的啟動截止電路(101)、偏置電流產生電路(102)、基準電壓 產生電路(103)，還包含電路連接所述偏置電流產生電路(102)的電流 鏡電路(104)、分別電路連接所述啟動截止電路(101)、偏置電流產生電 路(102)、基準電壓產生電路(103)和電流鏡電路(104)的低壓偏置電 源電路(105)，以及，電路連接所述電流鏡電路(104)的偏置電流輸出 電路(106)；

偏置電流產生電路(102)產生偏置電流PTAT；

偏置電流流過基準電壓產生電路(103)，產生基準電壓VBG；

電流鏡電路(104)將偏置電流PTAT鏡象復制給低壓偏置電源電路 (105)和偏置電流輸出電路(106)，由低壓偏置電源電路(105)給偏置 電流產生電路(102)、基準電壓產生電路(103)和電流鏡電路(104)提 供電流，偏置電流輸出電路(106)則將偏置電流PTAT傳輸給功率芯片 的內部電路和其他電路；

啟動截止電路(101)產生啟動電流傳輸給偏置電流產生電路(102)， 使得偏置電流產生電路(102)導通并產生偏置電流PTAT，偏置電流又 經過電流鏡電路(104)使低壓偏置電源電路(105)導通并得到正確偏置， 使得低壓偏置電源電路(105)可以對偏置電流產生電路(102)、基準電 壓產生電路(103)和電流鏡電路(104)進行供電，一旦低壓偏置電源電 路(105)導通，啟動截止電路(101)產生截止信號，啟動結束，整個電 路進入正常工作狀態；

P溝道金屬氧化物半導體管MP1，MP2，N溝道金屬氧化物半導體 管MN1，MN2，三級管Q1，Q2，P溝道金屬氧化物半導體管MP8，以 及電阻R1構成了偏置電流產生電路(102)，產生的PTAT電流為：

Iptat＝ΔVBE/R1，

其中，ΔVBE＝VBE_Q2-VBE_Q1，VBE_Q1和VBE_Q2分別是三級 管Q1和Q2的基級-發射級電壓；

P溝道金屬氧化物半導體管MP3，電阻R2和三級管Q3構成了基準 電壓產生電路(103)，電流鏡MP3復制偏置電流產生電路(102)產生的 PTAT電流，并使該偏置電流流過電阻R2和三級管Q3，從而產生基準電 壓為：

VBG＝VBE_Q3+(R2/R1)×ΔVBE，

其中，VBE_Q3是三級管Q3的基級-發射級電壓。

2.如權利要求1所述的用于功率芯片的基準電壓和偏置電流產生電路，其特 征在于，所述的偏置電流產生電路(102)和基準電壓產生電路(103)為 低壓電路。

3.如權利要求1所述的用于功率芯片的基準電壓和偏置電流產生電路，其特 征在于，所述的電流鏡電路(104)、低壓偏置電源電路(105)和偏置電 流輸出電路(106)為高壓電路。