1.一種SOI晶片的制造方法，對下述SOI晶片材料，即，通過在結合晶片與基體晶片的至少一方的表面形成氧化膜，并經由所述形成的氧化膜將所述結合晶片與基體晶片貼合，然后將結合晶片薄膜化而獲得的埋入式氧化膜上形成有SOI層的SOI晶片材料，進行減少所述埋入式氧化膜厚度的熱處理，由此制造具有規定的埋入式氧化膜厚的SOI晶片，其特征在于，

根據通過所述熱處理而減少的埋入式氧化膜的厚度與因所述熱處理而產生的埋入式氧化膜面內范圍變化量的容許值之比，計算出進行減少所述埋入式氧化膜厚度的熱處理的SOI晶片材料的SOI層厚度，并對將所述結合晶片進行薄膜化而獲得的SOI晶片材料，進行減少埋入式氧化膜厚度的熱處理，以使SOI層的厚度成為所述計算出的厚度。

2.如權利要求1所述的SOI晶片的制造方法，其特征在于，使通過所述熱處理而減少的埋入式氧化膜厚度為40nm以下來計算出所述SOI晶片材料的SOI層厚度。

3.如權利要求1或2所述的SOI晶片的制造方法，其特征在于，使所述規定的埋入式氧化膜厚為30nm以下。

4.如權利要求1至3中任一項所述的SOI晶片的制造方法，其特征在于，在氫氣、氬氣或它們的混合氣體環境下，在1000℃以上的溫度下進行所述減少埋入式氧化膜厚度的熱處理。

5.如權利要求1至4中任一項所述的SOI晶片的制造方法，其特征在于，所述SOI晶片材料采用離子注入剝離法來制作。