1.一種具有紋理化表面的基于氧化鋅的透明導電層，

其中，所述紋理化表面具有突起，每個突起在其突起方向上具有形成弧形的脊，或每個突起在其邊緣具有尖端使得兩個脊形成90°或大于90°的鈍角。

2.根據(jù)權利要求1所述的具有紋理化表面的基于氧化鋅的透明導電層，

其中，所述具有紋理化表面的導電層的X射線衍射圖僅具有(002)峰。

3.根據(jù)權利要求1所述的具有紋理化表面的基于氧化鋅的透明導電層，

其中，所述紋理化表面的突起在其基部的對角線長度為200～600nm，且所述紋理化表面的突起的高度為30～250nm。

4.根據(jù)權利要求1所述的具有紋理化表面的基于氧化鋅的透明導電層，

其中，所述導電層具有選自元素周期表中的第13族元素和氧化值為+3的過渡金屬中的至少一種元素作為摻雜劑。

5.根據(jù)權利要求1所述的具有紋理化表面的基于氧化鋅的透明導電層，

其中，所述導電層具有選自鋁、鎵、硼和硅中的至少一種元素作為摻雜劑。

6.根據(jù)權利要求5所述的具有紋理化表面的基于氧化鋅的透明導電層，

其中，在所述導電層中的摻雜劑含量為4wt％或小于4wt％。

7.根據(jù)權利要求5所述的具有紋理化表面的基于氧化鋅的透明導電層，

其中，在鎵獨自用作摻雜劑的情況下，所述導電層中的鎵含量小于3wt％。

8.根據(jù)權利要求5所述的具有紋理化表面的基于氧化鋅的透明導電層，

其中，在鋁獨自用作摻雜劑的情況下，所述導電層中的鋁含量為1wt％或小于1wt％。

9.根據(jù)權利要求5所述的具有紋理化表面的基于氧化鋅的透明導電層，

其中，在硼獨自用作摻雜劑的情況下，所述導電層中的硼含量為1wt％或小于1wt％。

10.根據(jù)權利要求5所述的具有紋理化表面的基于氧化鋅的透明導電層，

其中，在鎵和鋁用作摻雜劑的情況下，所述導電層中的鋁含量為0.5wt％或小于0.5wt％，且鎵含量為1.0wt％或小于1.0wt％。

11.根據(jù)權利要求1所述的具有紋理化表面的基于氧化鋅的透明導電層，

其中，所述導電層的厚度為100～500nm。

12.一種基于氧化鋅的透明導電層的制造方法，該方法包括：

在壓力為1～30mTorr和溫度為100～500℃的條件下，在氬氣和氫氣的混合氣體的存在下，從摻雜劑含量為0～4wt％的氧化鋅靶上進行濺射。

13.根據(jù)權利要求12所述的基于氧化鋅的透明導電層的制造方法，

其中，所述摻雜劑是選自元素周期表中的第13族元素和氧化值為+3的過渡金屬中的至少一種元素。

14.根據(jù)權利要求12所述的基于氧化鋅的透明導電層的制造方法，

其中，所述摻雜劑是選自鋁、鎵、硼和硅中的至少一種。

15.根據(jù)權利要求14所述的基于氧化鋅的透明導電層的制造方法，

其中，在鎵獨自用作摻雜劑的情況下，所述導電層中的鎵含量小于3wt％。

16.根據(jù)權利要求14所述的基于氧化鋅的透明導電層的制造方法，

其中，在鋁獨自用作摻雜劑的情況下，所述導電層中的鋁含量為1wt％或小于1wt％。

17.根據(jù)權利要求14所述的基于氧化鋅的透明導電層的制造方法，

其中，在硼獨自用作摻雜劑的情況下，所述導電層中的硼含量為1wt％或小于1wt％。

18.根據(jù)權利要求14所述的基于氧化鋅的透明導電層的制造方法，

其中，在鎵和鋁用作摻雜劑的情況下，所述導電層中的鋁含量為0.5wt％或小于0.5wt％，且鎵含量為1.0wt％或小于1.0wt％。

19.根據(jù)權利要求12所述的基于氧化鋅的透明導電層的制造方法，

其中，在濺射過程中進一步引入H₂O。

20.根據(jù)權利要求12所述的基于氧化鋅的透明導電層的制造方法，

其中，相對于全部氣體，氫氣的含量為1～30vol％。