[實(shí)用新型]多功能離子束復(fù)合處理系統(tǒng)無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200920199384.9 | 申請(qǐng)日： | 2009-10-29 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN201517129U | 公開（公告）日： | 2010-06-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張高會(huì);李紅衛(wèi);萬(wàn)向明;武建軍;鄭順奇;焦志偉;于明州;周云;黃國(guó)青 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國(guó)計(jì)量學(xué)院 |
| 主分類號(hào)： | C23C14/35 | 分類號(hào)： | C23C14/35;C23C14/48;C23C14/46 |
| 代理公司： | 杭州賽科專利代理事務(wù)所 33230 | 代理人： | 王桂名;余華康 |
| 地址： | 310018 浙江省*** | 國(guó)省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 多功能 離子束 復(fù)合 處理 系統(tǒng) | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種多功能離子束復(fù)合處理系統(tǒng)，其特征在于：所述復(fù)合處理系統(tǒng)包括真空室、離子注入裝置和磁控濺射裝置，真空室連接真空泵，離子注入裝置安裝在真空室上部，真空室內(nèi)部設(shè)有樣品臺(tái)，樣品臺(tái)位于離子注入裝置下方；所述的離子注入裝置包括氣體離子源和金屬離子源，所述的磁控濺射裝置為磁控濺射靶，磁控濺射靶、氣體離子源和金屬離子源分別連接電源，金屬離子源和磁控濺射靶安裝在氣體離子源側(cè)部，金屬離子源與磁控濺射靶分別連接角度調(diào)節(jié)裝置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多功能離子束復(fù)合處理系統(tǒng)，其特征在于：所述的磁控濺射靶包括第一磁控濺射靶和第二磁控濺射靶。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多功能離子束復(fù)合處理系統(tǒng)，其特征在于：所述的樣品臺(tái)連接四工位轉(zhuǎn)靶。
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C23 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面擴(kuò)散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面擴(kuò)散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
