1.一種制造半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的方法，包括：

在晶胞區(qū)域的有源區(qū)中形成埋入式字線；

在所述晶胞區(qū)域中形成絕緣層并在外圍區(qū)域中形成柵極的下電極層，從而使所述絕緣層所在的高度大致等于所述下電極層所在的高度；以及

在所述晶胞區(qū)域和所述外圍區(qū)域上設(shè)置第一導(dǎo)電層以形成位線層和上電極層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

蝕刻所述絕緣層以在所述晶胞區(qū)域的有源區(qū)中形成位線觸點(diǎn)孔，所述位線觸點(diǎn)孔使與所述埋入式字線相鄰的有源區(qū)露出；以及

填充所述位線觸點(diǎn)孔以形成位線接觸插塞。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，

所述第一導(dǎo)電層通過延伸到所述位線觸點(diǎn)孔的外部而形成以限定所述位線層，并且所述第一導(dǎo)電層設(shè)置在所述外圍區(qū)域的下電極層上方以形成所述柵極的上電極。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，還包括：

在所述晶胞區(qū)域和所述外圍區(qū)域上沉積金屬阻擋層，其中所述第一導(dǎo)電層形成在所述金屬阻擋層上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，

所述位線層所在的高度與所述柵極的上電極層所在的高度大致相同。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，

在所述晶胞區(qū)域中形成絕緣層并在所述外圍區(qū)域中形成柵極的下電極層的步驟包括：

在所述晶胞區(qū)域和所述外圍區(qū)域中沉積絕緣層；

移除沉積在所述外圍區(qū)域中的絕緣層而在所述晶胞區(qū)域中留下至少一部分絕緣層；

在所述晶胞區(qū)域和所述外圍區(qū)域上沉積第二導(dǎo)電層；以及

移除沉積在所述晶胞區(qū)域上的第二導(dǎo)電層以使設(shè)置在所述晶胞區(qū)域上的絕緣層露出，其中，

殘留在所述外圍區(qū)域中的第二導(dǎo)電層是位于所述外圍區(qū)域中的柵極的下電極層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，

移除所述第二導(dǎo)電層的步驟包括：

對(duì)所述第二導(dǎo)電層執(zhí)行化學(xué)機(jī)械拋光工序以消除所述晶胞區(qū)域與所述外圍區(qū)域之間的高度差。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，

使用干式蝕刻工序來移除所述第二導(dǎo)電層。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，

移除所述絕緣層的步驟包括：

在所述晶胞區(qū)域和所述外圍區(qū)域上沉積硬掩模層；

將所述硬掩模層圖案化以限定位線觸點(diǎn)孔；以及

使用經(jīng)圖案化的硬掩模層來蝕刻露出的絕緣層。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，還包括：

在所述第二導(dǎo)電層上沉積硬掩模層。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

將所述位線層、所述上電極層和所述下電極層圖案化，以形成位于所述晶胞區(qū)域中的位線和位于所述外圍區(qū)域中的柵極圖案。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，

所述位線層所在的高度與所述上電極層所在的高度大致相同。

13.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，包括：

埋入式字線，其形成于晶胞區(qū)域的有源區(qū)中；

位線，其設(shè)置在所述埋入式字線的上方；

絕緣層，其構(gòu)造成使所述有源區(qū)與所述位線電絕緣；以及

柵極圖案，其位于外圍區(qū)域中，所述柵極圖案具有下電極和上電極；其中，

所述絕緣層所在的高度大致等于所述柵極圖案的下電極所在的高度。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，

所述位線所在的高度大致等于所述柵極圖案的上電極所在的高度。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，還包括：

將所述有源區(qū)和所述位線電連接的位線接觸插塞。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，還包括：

金屬阻擋層，其設(shè)置在所述位線接觸插塞與所述絕緣層之間、以及所述柵極圖案的上電極與下電極之間。

17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，還包括：

存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)，其連接至所述有源區(qū)，其中，所述位線和所述存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)形成為位于比所述柵極圖案所在的高度高的位置上。