1.一種熔化硅的方法，在所述方法中將硅塊(4、14、24)布置(42)在可加熱的坩堝(6)內，并加熱(46)所述坩堝(6)，

其特征在于

在將所述硅塊(4、14、24)布置(42)在所述坩堝(6)內的同時，至少部分地以硅粒(8、18、20、28)來填充(44)在坩堝壁(7)和所述硅塊(4、14、24)之間出現的空腔(10)或者在所述硅塊(4、14、24)的實體部分之間出現的空腔(10)的至少一部分。

2.根據權利要求1所述的方法，

其特征在于

從硅原料(2)截取(40)所述硅塊(4、14、24)，并且按照使得所述硅塊能夠布置在所述坩堝(6)內的方式確定(40)所述硅塊的尺寸，其中，最好通過從所述硅原料(2)截取(40)所述硅塊(4、14、24)來實現所述硅塊尺寸的確定。

3.根據權利要求2所述的方法，

其特征在于，

以受控的方式截取(40)所述硅塊(4、14、24)。

4.根據權利要求2至3之一所述的方法，

其特征在于

可以采用下列這組工藝中的一種工藝來截取(40)所述硅塊(4、14、24)，這組工藝包括：

激光分離、水束切割和鋸，

所述鋸尤其包括網鋸、帶鋸或者內徑鋸。

5.根據前述權利要求之一所述的方法，

其特征在于

所采用的硅塊(4、14、24)在至少一個延展方向上大于10cm。

6.根據前述權利要求之一所述的方法，

其特征在于

所采用的硅粒(8、18、20、28)由最大直徑大約為10cm的顆粒(19a、19b)組成。

7.根據權利要求1至5之一所述的方法，

其特征在于

所采用的硅粒(20、28)的顆粒(19b)的直徑大約為0.3mm至10mm、優選為0.3mm至2mm。

8.根據前述權利要求之一所述的方法，

其特征在于，

采用下述組中的元件作為硅原料(2)，所述組包括硅棒(2)和硅管。

9.根據權利要求8所述的方法，

其特征在于，

所采用的硅原料(2)通過化學氣相沉積制成，優選地通過西門子法制成。

10.根據權利要求8或9所述的方法，

其特征在于，

對所述硅塊(4、14、24)的截取(40)是通過將硅棒(2)或者硅管截斷成一定長度的短硅棒(14、14a、14b、14c、14d、14e)或者短硅管(24、25)來實現的，所述短硅棒或者短硅管的長度優選地大約等于所述坩堝(6)的開口寬度(5)。

11.根據前述權利要求之一所述的方法，

其特征在于，

采用硅粒(8、18、20、28)來填充這些空腔(10)的60％至98％，優選地填充這些空腔(10)的85％至98％。

12.一種用于熔化硅的系統，該系統包括：

可加熱的坩堝(6)；

布置在所述坩堝(6)內的硅塊(4、14、24)；

在坩堝壁(7)和所述硅塊(4、14、24)之間或者在所述硅塊(4、14、24)的實體部分之間形成的空腔(10)；

其特征在于，

至少部分地以硅粒(8、18、20、28)來填充這些空腔(10)的至少一部分。

13.根據權利要求12所述的系統，

其特征在于，

所述硅塊(4、14、24、25)在至少一個延展方向上大于10cm。

14.根據權利要求12或13所述的系統，

其特征在于所述硅粒(8、18、20、28)，所述硅粒的顆粒(19a、19b)的最大直徑大約為10cm。

15.根據權利要求12或13所述的系統，

其特征在于所述硅粒(20、28)，所述硅粒的顆粒(19b)的直徑大約為0.3mm至10mm，優選地為0.3mm至2mm。