[發明專利]一種由磁性材料和半金屬材料構成的納米電纜及制備方法無效
| 申請號: | 200910088089.0 | 申請日: | 2009-07-02 |
| 公開(公告)號: | CN101937732A | 公開(公告)日: | 2011-01-05 |
| 發明(設計)人: | 楊大馳;智林杰 | 申請(專利權)人: | 國家納米科學中心 |
| 主分類號: | H01B1/00 | 分類號: | H01B1/00;H01B5/02;H01B13/00;B82B1/00;B82B3/00;C25D11/04;C25D11/12;C25D11/18;C25D5/12;C25D3/12;C25D3/54;C23C14/18;C23C14/24;C2 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 磁性材料 金屬材料 構成 納米 電纜 制備 方法 | ||
1.一種由磁性材料和半金屬材料構成的納米電纜,包括納米電纜芯和包覆在所述納米電纜芯外的電纜外殼層,所述納米電纜芯和電纜外殼層是共軸的;其特征在于:所述納米電纜芯的材料為半金屬鉍,所述納米電纜外殼層材料為磁性金屬鎳;所述納米電纜芯的直徑為20~170nm,所述納米電纜外殼層的厚度為10~80nm。
2.一種由磁性材料和半金屬材料構成的納米電纜的制備方法,包括以下步驟:
1)鋁片陽極氧化,先將鋁片置于濃度為0.2~0.4M的酸溶液中,于直流電壓為30~160V下,陽極氧化6~10小時,再將鋁片置于溫度為50~70℃的混和溶液中浸泡8~12小時,得到第一次陽極氧化后的鋁片;所述的混和溶液是濃度為4~8wt%磷酸和濃度為1.6~2wt%鉻酸混合而成的;
2)第二次陽極氧化,將步驟1)得到的鋁片,重復步驟1)的陽極氧化工藝,對鋁片進行第二次陽極氧化;
3)將步驟2)氧化后得到的鋁片,先用過飽和的四氯化錫溶液去除背面未氧化的鋁,再用濃度為3~10wt%的磷酸溶液腐蝕掉位于孔底部的氧化鋁障礙層,得到具有通孔氧化鋁模板,所述的通孔孔徑為50~200nm;
4)蒸鍍金膜,采用常規薄膜制備工藝,在步驟3)制備的具有通孔氧化鋁模板的底面蒸鍍80~200nm厚的金膜,得到蒸鍍金膜的氧化鋁模板;
5)電鍍,先將步驟4)蒸鍍金膜的氧化鋁模板置于鉍和鎳混合電鍍液中,在1.5~4.5mA/cm2的恒電流下,電化學沉積10~80min,得到氧化鋁模板通孔中生成有鉍芯線與鎳外殼的納米異質結電纜,再對其用水進行清洗;
6)腐蝕掉氧化鋁模板,將步驟5)得到的通孔中置有鉍芯線與鎳外殼的氧化鋁模板,置于強堿溶液中腐蝕掉氧化鋁模板,制得鉍芯線與鎳外殼組成的納米電纜;
所述的鉍和鎳混合電鍍液組成為:
5~30克/升三氯化鉍溶液、50~90克/升丙三醇溶液、
30~60克/升酒石酸溶液、?????20~70克/升氯化鈉溶液、
50~150克/升六水氯化鎳溶液、20~60克/升硼酸溶液和30~50克/升檸檬酸三鈉溶液混合,用稀鹽酸調節pH值為0.5~1.5。
3.根據權利要求2所述的由磁性材料和半金屬材料構成的納米電纜的制備方法:其特征在于:所述的水為蒸餾水或去離子水。
4.根據權利要求2所述的由磁性材料和半金屬材料構成的納米電纜的制備方法:其特征在于:所述的酸溶液為草酸溶液或磷酸溶液。
5.根據權利要求2所述的由磁性材料和半金屬材料構成的納米電纜的制備方法:其特征在于:所述的鋁片的純度為≥99.999%。
6.根據權利要求2所述的由磁性材料和半金屬材料構成的納米電纜的制備方法;其特征在于:所述的常規薄膜制備工藝為真空鍍膜工藝、真空濺射工藝、電子束蒸發工藝或離子束沉積工藝。
7.根據權利要求2所述的由磁性材料和半金屬材料構成的納米電纜的制備方法;其特征在于:所述的強堿溶液為氫氧化鈉溶液、氫氧化鉀溶液或氫氧化鋰溶液。
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