[發(fā)明專利]在SDRAM存儲若干數(shù)據(jù)的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910081105.3 | 申請日： | 2009-04-02 |
| 公開（公告）號： | CN101520750A | 公開（公告）日： | 2009-09-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李建軍;付軍 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京中星微電子有限公司 |
| 主分類號： | G06F12/02 | 分類號： | G06F12/02 |
| 代理公司： | 上海和躍知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 | 代理人： | 李崧巖 |
| 地址： | 100083北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | sdram 存儲 若干 數(shù)據(jù) 方法 | ||
1.一種SDRAM的存儲若干數(shù)據(jù)的方法，其中所述SDRAM包 括有若干存儲陣列，每個存儲陣列中包括有若干存儲單元，其特 征在于，其包括有以下步驟：
將所述若干數(shù)據(jù)中的每份數(shù)據(jù)劃分為若干大小相同的數(shù)據(jù)塊， 每個數(shù)據(jù)塊的大小等于讀取所述SDRAM內(nèi)存儲數(shù)據(jù)的BURST長 度；
將所述若干數(shù)據(jù)中的相鄰數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)塊依次交錯存儲于所述 SDRAM的存儲陣列的存儲單元內(nèi),
其中，所述SDRAM內(nèi)包括的若干存儲陣列及所述若干存儲 陣列內(nèi)包括的存儲單元是按照將其中一個存儲陣列的存儲空間用 完后，再使用下一個存儲陣列的存儲空間的順序來依次接收所述 若干數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)塊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲若干數(shù)據(jù)的方法，其特征在于， 其中將所述若干數(shù)據(jù)包括的數(shù)據(jù)塊交錯存儲于所述SDRAM的存 儲陣列的存儲單元內(nèi)的方式為，依次存儲所述若干數(shù)據(jù)中各數(shù)據(jù) 包括的第一個數(shù)據(jù)塊，當(dāng)所述若干數(shù)據(jù)中各數(shù)據(jù)的第一個數(shù)據(jù)塊 均依次存儲完畢后，再繼續(xù)依次存儲所述若干數(shù)據(jù)中各數(shù)據(jù)的第 二個數(shù)據(jù)塊，直到最后將所述若干數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)塊全部存儲完畢。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲若干數(shù)據(jù)的方法，其特征在于， 其中所述若干數(shù)據(jù)的大小是完全一樣的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲若干數(shù)據(jù)的方法，其特征在于， 其中所述BURST長度大小包括1、2、4、8words，相應(yīng)的，所述 若干數(shù)據(jù)中每份數(shù)據(jù)包括的數(shù)據(jù)塊的大小也相應(yīng)包括1、2、4、 8words。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲若干數(shù)據(jù)的方法，其特征在于， 其中所述若干數(shù)據(jù)為圖片數(shù)據(jù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲若干數(shù)據(jù)的方法，其特征在于， 其中所述圖片數(shù)據(jù)為同樣大小。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲若干數(shù)據(jù)的方法，其特征在于， 該方法用于各個MASTER對多塊數(shù)據(jù)包以相似偏移量并發(fā)訪問的 概率比較大的SOC系統(tǒng)中，以提高所述SDRAM的訪問效率。
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