1.一種準平面高速雙色銦鎵砷光電探測器，包括半絕緣InP襯底，在半絕緣 InP襯底上依次生長的N-InP歐姆接觸層、不摻雜InGaAs吸收層、N-InP窗口層， 在N-InP窗口層上通過光刻、Zn擴散形成的平面型PN結，在Zn擴散區域形成環 形的P型歐姆接觸金屬層，其特征在于：在Zn擴散區域的環形歐姆接觸金屬層中 的圓形區域生長有增透膜，Zn擴散區域及其周邊部分區域與N-InP歐姆接觸層構 成臺面結構，N型歐姆接觸金屬層生成在N-InP歐姆接觸層臺面上，N-InP歐姆接 觸層與半絕緣InP襯底構成臺面結構，壓焊點位于半絕緣InP襯底之上的鈍化膜 上。

2.根據權利要求1所述的準平面高速雙色銦鎵砷光電探測器，其特征在于N 型歐姆接觸金屬層和P型歐姆接觸金屬層分別通過互連金屬與制備在半絕緣InP 襯底之上的鈍化膜上的電極壓焊點連接。

3.根據權利要求1所述的準平面高速雙色銦鎵砷光電探測器，其特征在于所 述N型歐姆接觸金屬層為環形金屬層。

4.一種準平面高速雙色銦鎵砷光電探測器的制造方法，包括以下步驟：

(1)在半絕緣InP襯底上依次生長N-InP歐姆接觸層、不摻雜InGaAs吸收 層、N-InP窗口層，

(2)在步驟(1)中形成的材料結構上，淀積介質薄膜，通過光刻刻蝕露出 需要進行Zn擴散的區域，以介質薄膜作掩蔽進行Zn擴散，

(3)采用光刻膠掩蔽步驟(2)形成的Zn擴散區域及其周邊部分區域，其余 區域采用濕法化學腐蝕，直到露出N-InP歐姆接觸層，

(4)采用光刻膠掩蔽步驟(2)形成的臺面區域及露出的靠近臺面的N-InP 歐姆接觸層區域，其余區域采用濕法化學腐蝕，直到露出半絕緣InP襯底；

(5)在步驟(4)基礎上，針對850nm波長對窗口區進行表面處理，生成 增透膜，并對臺面和其他區域完成鈍化；

(6)采用光刻、金屬化和剝離工藝方法，在Zn擴散區域生成環形P型歐姆 接觸金屬，在N-InP歐姆接觸層臺面上生成環形N型歐姆接觸金屬，

(7)在步驟(6)基礎上，采用光刻、金屬化工藝完成器件的互連并將電極 壓焊點制備在半絕緣InP襯底之上的鈍化膜上。

5.根據權利要求4所述的準平面高速雙色銦鎵砷光電探測器的制造方法，其 特征在于步驟(2)中介質薄膜為SiN或SiO₂介質膜。

6.根據權利要求4所述的準平面高速雙色銦鎵砷光電探測器的制造方法，其 特征在于步驟(1)中N-InP歐姆接觸層厚度為0.3-2微米，不摻雜InGaAs吸收 層厚度為0.5到4微米，N-InP窗口層厚度為0.3到2微米。

7.根據權利要求4所述的準平面高速雙色銦鎵砷光電探測器的制造方法，其 特征在于步驟(5)包括以下步驟：

(1)首先選擇腐蝕掉1/3-2/3厚度的N-InP窗口層擴散區域，

(2)在步驟(1)基礎上用等離子化學氣相淀積方法依次淀積增透膜、鈍化 膜，在擴散區域淀積SiN薄膜50-100nm，SiO₂薄膜80-160nm，作為雙層增透 膜，同時作為鈍化膜，其他區域淀積一定厚度的鈍化膜。