1.一種在硼化鋯-碳化硅陶瓷復(fù)合材料表面原位生成高抗氧化性能膜的方 法，其特征在于在硼化鋯-碳化硅陶瓷復(fù)合材料表面原位生成高抗氧化性能膜 的方法按如下步驟進(jìn)行：一、將純度均為98％以上的硼化鋯粉末和碳化硅粉末 按照體積比為75～85∶20的比例混合，然后通過(guò)行星式球磨機(jī)對(duì)硼化鋯粉末和 碳化硅粉末進(jìn)行混合分散，以無(wú)水乙醇為分散介質(zhì)、氧化鋯磨球?yàn)檠心ソ橘|(zhì)， 球磨機(jī)混料時(shí)轉(zhuǎn)速為180～250r/min，混合時(shí)間為8～12h，再將混合后的漿料在 旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器上蒸發(fā)烘干，再將干燥后的混合粉料用瑪瑙研缽研磨至粉料粒度為 30μm以下；二、燒結(jié)：將步驟一研磨后得到的混合粉料在真空或惰性氣氛中 進(jìn)行熱壓燒結(jié)，燒結(jié)溫度為1900℃，燒結(jié)壓力為30MPa，保溫時(shí)間為60分鐘， 冷卻至室溫后取出試樣；三、微弧氧化反應(yīng)：對(duì)試樣表面進(jìn)行拋光處理后采用 功率為5kW、電流密度為10A/dm²、占空比為20的雙脈沖電源，以不銹鋼槽 作為陰極、以試樣作為陽(yáng)極浸泡在10g/L的偏鋁酸鈉溶液中，通電1～10min， 采用100～150r/min的磁力攪拌器攪拌，通電過(guò)程中采用流動(dòng)的冷水浴控制反 應(yīng)溶液的溫度不高于30℃；即在硼化鋯-碳化硅陶瓷復(fù)合材料表面原位生成了 高抗氧化性能膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種在硼化鋯-碳化硅陶瓷復(fù)合材料表面原位生 成高抗氧化性能膜的方法，其特征在于步驟一中將純度均為99％以上的硼化鋯 粉末和碳化硅粉末按照體積比為78～82∶20的比例混合。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種在硼化鋯-碳化硅陶瓷復(fù)合材料表面原位生 成高抗氧化性能膜的方法，其特征在于步驟一中將純度均為99.5％的硼化鋯粉 末和碳化硅粉末按照體積比為80∶20的比例混合。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的一種在硼化鋯-碳化硅陶瓷復(fù)合材料表面原 位生成高抗氧化性能膜的方法，其特征在于步驟一中球磨機(jī)混料時(shí)轉(zhuǎn)速為 200～250r/min，混合時(shí)間為9～11h。

5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的一種在硼化鋯-碳化硅陶瓷復(fù)合材料表面原 位生成高抗氧化性能膜的方法，其特征在于步驟一中球磨機(jī)混料時(shí)轉(zhuǎn)速為 200r/min，混合時(shí)間為10h。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種在硼化鋯-碳化硅陶瓷復(fù)合材料表面原位生 成高抗氧化性能膜的方法，其特征在于步驟二中將干燥后的混合粉料用瑪瑙研 缽研磨至粉料粒度為5～15μm。

7.根據(jù)權(quán)利要求2、3或6所述的一種在硼化鋯-碳化硅陶瓷復(fù)合材料表 面原位生成高抗氧化性能膜的方法，其特征在于步驟三中通電5min。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種在硼化鋯-碳化硅陶瓷復(fù)合材料表面原位生 成高抗氧化性能膜的方法，其特征在于步驟三中通電過(guò)程中采用流動(dòng)的冷水浴 控制反應(yīng)溶液的溫度為20～30℃。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種在硼化鋯-碳化硅陶瓷復(fù)合材料表面原位生 成高抗氧化性能膜的方法，其特征在于步驟三中通電過(guò)程中采用流動(dòng)的冷水浴 控制反應(yīng)溶液的溫度為25℃。

10.根據(jù)權(quán)利要求2、3、6、8或9所述的一種在硼化鋯-碳化硅陶瓷復(fù)合 材料表面原位生成高抗氧化性能膜的方法，其特征在于步驟三中磁力攪拌速度 為120～130r/min。