[發明專利]SiOCN陶瓷的制備方法有效
| 申請號: | 200910072021.3 | 申請日: | 2009-05-13 |
| 公開(公告)號: | CN101550012A | 公開(公告)日: | 2009-10-07 |
| 發明(設計)人: | 溫廣武;白宏偉;黃小蕭;韓兆祥;張曉東;鐘博 | 申請(專利權)人: | 哈爾濱工業大學 |
| 主分類號: | C04B35/622 | 分類號: | C04B35/622;C04B35/515 |
| 代理公司: | 哈爾濱市松花江專利商標事務所 | 代理人: | 榮 玲 |
| 地址: | 150001黑龍江*** | 國省代碼: | 黑龍江;23 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | siocn 陶瓷 制備 方法 | ||
1.SiOCN陶瓷的制備方法,其特征在于SiOCN陶瓷的制備方法按照以下 步驟進行:一、含硅氫鍵的化合物與烯丙胺按照Si-H/C=C的摩爾比為0.5~16 的比例混合,再加入鉑催化劑混合均勻得到混合物,其中鉑催化劑的用量是Pt 元素質量為混合物質量的0.0005%~0.020%,含硅氫鍵的化合物為含氫硅氧烷或 含氫聚硅氧烷;二、將步驟一中的混合物在100℃~200℃的條件下保溫3~15小 時得到SiOCN先驅體;三、SiOCN先驅體在氣氛保護條件下在管式爐中以 1~20℃/min的加熱速度升溫到900~1400℃并保溫0.5~2h,然后隨爐冷卻,即制 備得到SiOCN陶瓷。
2.根據權利要求1所述的SiOCN陶瓷的制備方法,其特征在于步驟一中 含硅氫鍵的化合物與烯丙胺按照Si-H/C=C的摩爾比為1~13的范圍混合。
3.根據權利要求1或2所述的SiOCN陶瓷的制備方法,其特征在于含氫 硅氧烷為四甲基環四硅氧烷或四甲基二氫硅氧烷。
4.根據權利要求1或2所述的SiOCN陶瓷的制備方法,其特征在于含氫 聚硅氧烷為含氫甲基硅油或聚甲基氫硅氧烷。
5.根據權利要求3所述的SiOCN陶瓷的制備方法,其特征在于步驟一中 的鉑催化劑的制備方法為:將1g氯鉑酸溶于100mL經鈉干燥的四氫呋喃溶液中 即制備得到鉑催化劑。
6.根據權利要求1、2或5所述的SiOCN陶瓷的制備方法,其特征在于步 驟一中的鉑催化劑的用量是Pt元素質量為混合物質量的0.001%~0.015%。
7.根據權利要求6所述的SiOCN陶瓷的制備方法,其特征在于步驟二中 將混合物置于110℃~170℃的條件下保溫5~12小時。
8.根據權利要求6所述的SiOCN陶瓷的制備方法,其特征在于步驟二中 將混合物置于120℃的條件下保溫8小時。
9.根據權利要求1、2、5或8所述的SiOCN陶瓷的制備方法,其特征在 于步驟三中在氣氛保護條件下的保護氣氛為氮氣或氬氣。
10.根據權利要求9所述的SiOCN陶瓷的制備方法,其特征在于步驟三中 在1000~1300℃條件下保溫0.9~1.1h。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于哈爾濱工業大學,未經哈爾濱工業大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.17sss.com.cn/pat/books/200910072021.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種ZnO納米棒陣列的制備方法
- 下一篇:一種新型西瓦





