[發(fā)明專利]一種制備碲化鎘薄膜太陽電池組件的方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910058316.5 | 申請(qǐng)日： | 2009-02-12 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101807622A | 公開（公告）日： | 2010-08-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張靜全;馮良桓;雷智;蔡亞平;武莉莉;李衛(wèi);黎兵;鄭家貴;蔡偉 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 四川尚德太陽能電力有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L31/18 | 分類號(hào)： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 610041 四川省*** | 國(guó)省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 制備 碲化鎘 薄膜 太陽電池 組件 方法 | ||
1.一種制備碲化鎘薄膜太陽電池組件的方法：其特征是首先在透明導(dǎo)電薄膜玻璃(TCO)上沉積CdS薄膜獲得“glass/TCO/CdS”，然后在“glass/TCO/CdS”上沉積碲化鎘薄膜獲得“glass/TCO/CdS/CdTe”，然后對(duì)“glass/TCO/CdS/CdTe”進(jìn)行含CdCl2氣氛下的熱處理，然后使用激光刻劃熱處理后的“glass/TCO/CdS/CdTe”，刻劃掉“TCO/CdS/CdTe”，然后進(jìn)行化學(xué)腐蝕使碲化鎘表面富碲，然后在“glass/TCO/CdS/CdTe”上的刻劃掉TCO/CdS/CdTe的刻痕上填注低溫固化膠，然后沉積背接觸層，然后進(jìn)行背接觸層熱處理，然后使用激光在“TCO/CdS/CdTe”刻痕附近刻劃掉“CdS/CdTe/背接觸層”然后沉積金屬背電極層，然后使用激光刻劃掉“TCO/CdS/CdTe”刻痕和“CdS/CdTe/背接觸層”刻痕附近的“CdS/CdTe/背接觸層/金屬背電極”。
2.如權(quán)利要求1所述的制備碲化鎘薄膜太陽電池組件的方法，其特征是填注的低溫固化膠為低溫聚酰亞胺或環(huán)氧樹脂。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于四川尚德太陽能電力有限公司，未經(jīng)四川尚德太陽能電力有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.17sss.com.cn/pat/books/200910058316.5/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
