[發明專利]摻碳釔鋁石榴石晶體及其兩步法制備有效
| 申請號： | 200910054969.6 | 申請日： | 2009-07-16 |
| 公開（公告）號： | CN101603205A | 公開（公告）日： | 2009-12-16 |
| 發明（設計）人： | 李紅軍;楊新波;徐軍;蘇良碧 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海硅酸鹽研究所 |
| 主分類號： | C30B29/28 | 分類號： | C30B29/28;C30B11/00;C30B31/06 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所 | 代理人： | 許亦琳;余明偉 |
| 地址： | 200050上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 摻碳釔鋁 石榴石 晶體 及其 步法 制備 | ||
【權利要求書】：
1.一種摻碳釔鋁石榴石晶體的制備方法，在所述釔鋁石榴石晶體中摻入碳元素，所述摻碳 釔鋁石榴石晶體的制備方法包括如下步驟：將YAG晶體加工成YAG晶片，然后在置于 晶體爐中的密封坩堝中采用碳蒸發源對YAG晶片進行擴散滲碳處理，處理溫度為 2000～2200K；處理時間為1～120h；處理過程中，晶體爐的爐壓＜5×10-3Pa，制得摻碳 釔鋁石榴石晶體；所述YAG晶體由提拉法、下降法或溫梯法生長制得；所述擴散滲碳 處理在還原氣氛中進行。
2.如權利要求1中所述摻碳釔鋁石榴石晶體的制備方法，其特征在于，所述YAG晶片為 長度為5～15mm、厚度為1～5mm的雙面光學級拋光的YAG晶片。
3.如權利要求1-2任一權利要求所述制備方法制備的摻碳釔鋁石榴石晶體，其特征在于， 所述的摻碳釔鋁石榴石晶體中碳的摻雜量為晶體總質量的10～20000ppm。
4.如權利要求3所述的摻碳釔鋁石榴石晶體，其特征在于，所述的摻碳釔鋁石榴石晶體中 碳的摻雜量為晶體總質量的2000～8000ppm。
5.如權利要求3所述的摻碳釔鋁石榴石晶體在熱釋光或光釋光劑量學領域的應用。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院上海硅酸鹽研究所，未經中國科學院上海硅酸鹽研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.17sss.com.cn/pat/books/200910054969.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
