[發明專利]彩色濾光陣列及其應用的圖像感測裝置有效
| 申請號: | 200910005759.8 | 申請日: | 2009-02-06 |
| 公開(公告)號: | CN101740588A | 公開(公告)日: | 2010-06-16 |
| 發明(設計)人: | 曾志翔;彭進寶;楊政霖;劉宇杰 | 申請(專利權)人: | 采鈺科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 姜燕;陳晨 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 彩色 濾光 陣列 及其 應用 圖像 裝置 | ||
1.一種彩色濾光陣列,包括:
多個沿著一行方向交錯設置的第一彩色濾光圖樣與第二彩色濾光圖樣, 所述第一彩色濾光圖樣與所述第二彩色濾光圖樣包括紅色濾光物、綠色濾光 物與藍色濾光物,而所述第一彩色濾光圖樣之一內的藍色濾光物實體接觸與 其鄰近的所述第二彩色濾光圖樣之一內的紅色濾光物,或于所述第一彩色濾 光圖樣之一內的紅色濾光物是實體接觸與其鄰近的所述第二彩色濾光圖樣 之一內的藍色濾光物,而所述第一彩色濾光圖樣之一內的綠色濾光物實體接 觸與其鄰近的所述第二彩色濾光圖樣之一內的綠色濾光物。
2.如權利要求1所述的彩色濾光陣列,其中所述紅色濾光物、所述藍色 濾光物與所述綠色濾光物是沿著該彩色濾光物陣列的一列方向而同時存在。
3.一種圖像感測裝置,包括:
一半導體基底,其上設置有多個光電轉換元件;
一遮光層,位于該半導體基底上,該遮光層具有多個開口區,所述多個 開口區分別露出所述多個光電轉換元件;
一彩色濾光陣列疊置于該遮光層上,該彩色濾光陣列包括:
多個沿著一行方向交錯設置的第一彩色濾光圖樣與第二彩色濾光圖樣, 所述第一彩色濾光圖樣與所述第二彩色濾光圖樣包括紅色濾光物、綠色濾光 物與藍色濾光物,而所述第一彩色濾光圖樣之一內的藍色濾光物實體接觸與 其鄰近的所述第二彩色濾光圖樣之一內的紅色濾光物,或于所述第一彩色濾 光圖樣之一內的紅色濾光物是實體接觸與其鄰近的所述第二彩色濾光圖樣 之一內的藍色濾光物,而所述第一彩色濾光圖樣之一內的綠色濾光物實體接 觸與其鄰近的所述第二彩色濾光圖樣之一內的綠色濾光物;
以及
多個微透鏡,疊置于該彩色濾光陣列上,分別覆蓋該下方的該遮光層的 該開口區。
4.如權利要求3所述的圖像感測裝置,其中所述紅色濾光物、所述藍色 濾光物與所述綠色濾光物是沿著該彩色濾光物陣列的一列方向而同時存在。
5.一種彩色濾光陣列,包括:
多個沿著一行方向交錯設置的第一彩色濾光圖樣與第二彩色濾光圖樣, 其中所述第一彩色濾光圖樣與所述第二彩色濾光圖樣包括青藍色濾光物、黃 色濾光物與洋紅色濾光物,而所述第一彩色濾光圖樣之一內的洋紅色濾光物 實體接觸與其鄰近的所述第二彩色濾光圖樣之一內的青藍色濾光物,或于所 述第一彩色濾光圖樣之一內的青藍色濾光物是實體接觸與其鄰近的所述第 二彩色濾光圖樣之一內的洋紅色濾光物,而所述第一彩色濾光圖樣之一內的 黃色濾光物實體接觸與其鄰近的所述第二彩色濾光圖樣之一內的黃色濾光 物。
6.如權利要求5所述的彩色濾光陣列,其中所述青藍色濾光物、所述黃 色濾光物與所述洋紅色濾光物是沿著該彩色濾光物陣列的一列方向而同時 存在。
7.一種圖像感測裝置,包括:
一半導體基底,其上設置有多個光電轉換元件;
一遮光層,位于該半導體基底上,該遮光層具有多個開口區,所述多個 開口區分別露出所述多個光電轉換元件;
一彩色濾光陣列疊置于該遮光層上,該彩色濾光陣列包括:
多個沿著一行方向交錯設置的第一彩色濾光圖樣與第二彩色濾光圖樣, 其中所述第一彩色濾光圖樣與所述第二彩色濾光圖樣包括青藍色濾光物、黃 色濾光物與洋紅色濾光物,而所述第一彩色濾光圖樣之一內的洋紅色濾光物 實體接觸與其鄰近的所述第二彩色濾光圖樣之一內的青藍色濾光物,或于所 述第一彩色濾光圖樣之一內的青藍色濾光物實體接觸與其鄰近的所述第二 彩色濾光圖樣之一內的洋紅色濾光物,而所述第一彩色濾光圖樣之一內的黃 色濾光物實體接觸與其鄰近的所述第二彩色濾光圖樣之一內的黃色濾光物; 以及,
多個微透鏡,疊置于該彩色濾光陣列上,分別覆蓋該下方的該遮光層的 該開口區。
8.如權利要求7所述的圖像感測裝置,其中所述青藍色濾光物、所述洋 紅色濾光物與所述黃色濾光物是沿著該彩色濾光物陣列的一列方向而同時 存在。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





