[發明專利]具有改進的分隔板的對式鍍膜裝置無效
| 申請號: | 200910005136.0 | 申請日: | 2009-02-01 |
| 公開(公告)號: | CN101503795A | 公開(公告)日: | 2009-08-12 |
| 發明(設計)人: | 漢斯·沃爾夫;奧利弗·海梅爾;喬治·克爾帕爾-海斯;弗蘭克·弗徹斯 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | C23C14/56 | 分類號: | C23C14/56;C23C16/54;C23C14/34;C23C14/35;C23C16/50 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 | 代理人: | 王安武;南 霆 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 改進 隔板 鍍膜 裝置 | ||
1.一種鍍膜裝置,用于為基底鍍膜,所述鍍膜裝置包括:
至少兩個彼此相鄰布置的處理室,兩個相鄰的所述處理室之間的分隔 板,以及用于為所述處理室抽真空的泵裝置,其中
所述分隔板包括導管,其具有至少兩端,其中的一端連接到所述泵裝 置,并且另一端具有用于兩個所述處理室的至少一個抽氣口,并且其中所 述分隔板被所述導管加強。
2.根據權利要求1所述的鍍膜裝置,其中
所述分隔板具有兩側,每一側分別與一個處理室相鄰,并且其中,所 述導管被安裝至所述分隔板的所述兩側中的一側。
3.根據權利要求1所述的鍍膜裝置,其中
所述分隔板具有兩側,每一側分別與一個處理室相鄰,并且其中,所 述導管被設置在所述分隔板中,平行于所述分隔板的所述兩側。
4.根據權利要求1所述的鍍膜裝置,其中
所述分隔板包括雙壁結構。
5.根據權利要求1所述的鍍膜裝置,其中
所述導管設置在所述分隔板的凹部中。
6.根據權利要求1所述的鍍膜裝置,其中
所述導管以氣密方式設置在所述分隔板中。
7.根據權利要求1所述的鍍膜裝置,其中
所述導管被所述分隔板分為兩個獨立的半塊。
8.根據權利要求1所述的鍍膜裝置,其中
所述導管包括至少兩個獨立的分別用于每個所述處理室的抽氣口。
9.根據權利要求1所述的鍍膜裝置,其中
所述導管包括至少一個用于相鄰的所述處理室的公共抽氣口。
10.根據權利要求1所述的鍍膜裝置,其中
所述泵裝置包括汽輪泵和羅茨泵中至少一者。
11.根據權利要求1所述的鍍膜裝置,其中
所述泵裝置位于所述處理室的頂部。
12.根據權利要求1所述的鍍膜裝置,其中
所述泵裝置位于所述處理室底部的下方。
13.根據權利要求1所述的鍍膜裝置,其中
所述鍍膜裝置是直列鍍膜裝置,其具有并排設置的所述處理室,從而 使所述基底相繼通過每個所述處理室。
14.根據權利要求1所述的鍍膜裝置,其中
所述處理室包括至少一個鍍膜設備,至少一個所述導管被設置為橫向 偏離于所述鍍膜設備。
15.根據權利要求13所述的鍍膜裝置,其中
運輸設備被設置,用于限定將要被鍍膜的所述基底通過一排所述處理 室的通道,至少一個鍍膜設備和至少一個所述導管沿相繼通過各個所述處 理室的所述通道設置。
16.根據權利要求1所述的鍍膜裝置,其中
所述導管在所述處理室的高度的一半以上延伸。
17.根據權利要求1所述的鍍膜裝置,其中
所述導管在所述處理室的高度的三分之二以上延伸。
18.根據權利要求1所述的鍍膜裝置,其中
所述導管在所述處理室的高度的一半以下延伸。
19.根據權利要求1所述的鍍膜裝置,其中
所述導管在所述處理室的高度的三分之一以下延伸。
20.根據權利要求1所述的鍍膜裝置,其中
運輸設備被設置,用于運輸將要在垂直位置被鍍膜的較大的平板基 底,其中所述基底的平面在與垂直方向成-25度至25度的角度范圍內相對 于垂直方向布置。
21.根據權利要求1所述的鍍膜裝置,其中
設置在所述處理室中的鍍膜設備包括能執行至少以下一種功能的設 備:濺射、等離子增強化學氣相沉積(PECVD)以及物理氣相沉積 (PVD)。
22.根據權利要求1所述的鍍膜裝置,其中
鍍膜設備設置在與所述分隔板相對的一側。
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