[發(fā)明專利]鍍鉻部件及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200880104101.6 | 申請(qǐng)日: | 2008-08-27 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101855388A | 公開(kāi)(公告)日: | 2010-10-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 菅原宗一郎;子安弘晃;酒井浩史;恩佳斯;格蘭特·基爾斯 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 日產(chǎn)自動(dòng)車株式會(huì)社;埃托特克德國(guó)有限公司 |
| 主分類號(hào): | C25D5/34 | 分類號(hào): | C25D5/34;C25D3/06;C25D11/38 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;李茂家 |
| 地址: | 日本神*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 鍍鉻 部件 及其 制造 方法 | ||
1.一種鍍鉻部件,其包括:
體部;
腐蝕分散鍍層,其形成于所述體部上;
0.05至2.5微米厚的三價(jià)鉻鍍層,其使用堿性硫酸鉻作為金屬源形成于所述腐蝕分散鍍層上;和
不小于7nm厚的鉻化合物膜,其通過(guò)陰極酸性電解鉻酸鹽處理形成于所述三價(jià)鉻鍍層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍鉻部件,其中
所述三價(jià)鉻鍍層具有微孔結(jié)構(gòu)和微裂紋結(jié)構(gòu)的至少任何之一。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍鉻部件,其中
所述三價(jià)鉻鍍層包括Fe。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍鉻部件,其中
所述三價(jià)鉻鍍層包括1至7原子%的Fe。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍鉻部件,其中
所述三價(jià)鉻鍍層包括3至19原子%的C、1至22原子%的O和1至7原子%的Fe。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的鍍鉻部件,其中
由所述腐蝕分散鍍層、三價(jià)鉻鍍層和鉻化合物膜組成的復(fù)合鍍膜滿足以下條件(a)至(c):
(a)60°鏡面光澤度不小于480;
(b)當(dāng)進(jìn)行JIS?H?8502中定義的CASS試驗(yàn)40小時(shí),然后對(duì)于具有尺寸不大于30微米的腐蝕斑點(diǎn)根據(jù)上述JIS?H?8502基于全部腐蝕面積比進(jìn)行評(píng)價(jià)時(shí),分級(jí)數(shù)的評(píng)價(jià)值不小于8.0;
(c)在腐蝕測(cè)試后沒(méi)有觀察到由于腐蝕導(dǎo)致的外觀變化,在所述腐蝕測(cè)試中,將包括30g高嶺土和50ml氯化鈣飽和溶液的泥狀腐蝕促進(jìn)劑均勻地施涂至所述復(fù)合鍍膜,然后將所述鍍鉻部件放置于保持在60℃和23%RH環(huán)境下的恒溫恒濕室中336小時(shí)。
7.一種制造鍍鉻部件的方法,其包括以下步驟:
在體部上形成用于腐蝕電流分散的腐蝕分散鍍層;
使用堿性硫酸鉻作為金屬源在所述腐蝕分散鍍層上形成0.05至2.5微米厚的三價(jià)鉻鍍層;和
通過(guò)陰極酸性電解鉻酸鹽處理在所述三價(jià)鉻鍍層上形成不小于7nm厚的鉻化合物膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造鍍鉻部件的方法,其中所述腐蝕分散鍍層通過(guò)在鍍?cè)≈须婂儊?lái)生產(chǎn),所述鍍?cè)【哂刑峁┰谌齼r(jià)鉻鍍層中的微孔結(jié)構(gòu)和微裂紋結(jié)構(gòu)的至少之一的功能。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的制造鍍鉻部件的方法,其中所述三價(jià)鉻鍍層通過(guò)在包含90至160g/l堿性硫酸鉻作為主要組分和包含以下作為添加劑的鍍?cè)≈须婂儊?lái)生產(chǎn):硫氰酸鹽、單羧酸鹽和二羧酸鹽的至少任何之一;銨鹽、堿金屬鹽和堿土金屬鹽的至少任何之一;硼化合物;和溴化物。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造鍍鉻部件的方法,其中所述三價(jià)鉻鍍層通過(guò)在包含以下作為添加劑的鍍?cè)≈须婂儊?lái)生產(chǎn):甲酸銨和甲酸鉀的至少任何之一作為所述單羧酸鹽,溴化銨和溴化鉀的至少任何之一作為所述溴化物;和硼酸作為所述硼化合物。
11.根據(jù)權(quán)利要求7至10任一項(xiàng)所述的制造鍍鉻部件的方法,其中
所述陰極酸性電解鉻酸鹽處理為生成不小于7nm厚的鉻化合物膜的處理,所述鉻化合物為氧化鉻、氫氧化鉻和羥基氧化鉻的至少任何之一,和
所述陰極酸性電解鉻酸鹽處理在包含重鉻酸鹽、鉻酸鹽和鉻酐的至少任何之一并具有pH?1.0至5.5和溫度20至70℃的浴中,在0.1至1.0A/dm2的電流密度下進(jìn)行10至90秒。
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