所屬技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及薄膜制備裝置，尤其是涉及一種單腔室在真空條件下工作的全自動(dòng)大型平板式PECVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積，Plasma?EnhancedChemical?Vapor?Deposition)晶硅光伏減反射覆膜設(shè)備。

背景技術(shù)

目前，在光伏晶硅表面制備減反射薄膜主要采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法(即PECVD方法)。因?yàn)榈入x子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法(PECVD)是制備薄膜材料的幾種方法中技術(shù)最為成熟、操作較為簡(jiǎn)單的一種，并且可以制備均勻性高的大面積薄膜。現(xiàn)階段在光伏領(lǐng)域使用制備減反射薄膜的設(shè)備有兩種，一種為管式結(jié)構(gòu)的PECVD設(shè)備，這種結(jié)構(gòu)的設(shè)備單次生產(chǎn)時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，導(dǎo)致產(chǎn)量很低；另一種為多腔室平板式PECVD設(shè)備，設(shè)備每個(gè)腔室都需要在真空條件下進(jìn)行工作。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于提供一種單腔室在真空條件下工作的全自動(dòng)大型平板式PECVD晶硅光伏減反射覆膜設(shè)備，解決現(xiàn)有技術(shù)中管式結(jié)構(gòu)的PECVD設(shè)備存在的單次生產(chǎn)時(shí)間過(guò)長(zhǎng)、產(chǎn)量低的問(wèn)題，以及多腔室平板式PECVD設(shè)備存在的需要在真空條件下進(jìn)行工作等問(wèn)題。

本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是：

一種全自動(dòng)大型平板式PECVD晶硅光伏減反射覆膜制備設(shè)備，該設(shè)備主要設(shè)有裝載臺(tái)、預(yù)熱臺(tái)、PECVD室、冷卻臺(tái)、卸載臺(tái)及真空抽氣系統(tǒng)，裝載臺(tái)、預(yù)熱臺(tái)、PECVD室、冷卻臺(tái)和卸載臺(tái)依次設(shè)置于臺(tái)架上，預(yù)熱臺(tái)、冷卻臺(tái)分別連接保護(hù)氣體管路，PECVD室通過(guò)管路連接真空抽氣系統(tǒng)。

所述的覆膜制備設(shè)備，裝載臺(tái)、預(yù)熱臺(tái)、PECVD室、冷卻臺(tái)和卸載臺(tái)分別與各自的臺(tái)架通過(guò)螺栓連接，各自的臺(tái)架之間通過(guò)螺栓連接。

本實(shí)用新型的有益效果是：

本實(shí)用新型采用單腔室在真空條件下工作的全自動(dòng)大型平板式PECVD晶硅光伏減反射覆膜設(shè)備，在只有單腔室在真空條件下工作的情況下，同樣能達(dá)到管式PECVD和多腔室平板式PECVD的技術(shù)指標(biāo)，具體如下：

(1)可全自動(dòng)或手動(dòng)實(shí)現(xiàn)光伏電池片氮化硅(SiNx)薄膜制備，全程用工業(yè)微機(jī)實(shí)現(xiàn)自動(dòng)控制；

(2)更優(yōu)的性能價(jià)格比；

(3)雙機(jī)產(chǎn)能25MW/年(1500片/每小時(shí))；

(4)膜厚均勻性片內(nèi)(125mm×125mm)≤±3％，片間≤±％，批間≤±5％；

(5)折射率范圍：2.0～2.1批次的一致性：±5％；

(6)具有完善的報(bào)警功能及安全互鎖裝置；

(7)電極易于維護(hù)和清理；

(8)成膜溫度150～400℃連續(xù)可調(diào)。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中，1、裝載臺(tái)；2、預(yù)熱臺(tái)；3、PECVD室；4、冷卻臺(tái)；5、卸載臺(tái)；6、真空抽氣系統(tǒng)；7承載板。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)和原理作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。

如圖1所示，本實(shí)用新型采用單腔室在真空條件下工作的全自動(dòng)大型平板式PECVD晶硅光伏減反射覆膜設(shè)備，主要包括裝載臺(tái)1、預(yù)熱臺(tái)2、PECVD室3、冷卻臺(tái)4、卸載臺(tái)5及真空抽氣系統(tǒng)6等。其中，裝載臺(tái)1、預(yù)熱臺(tái)2、PECVD室3、冷卻臺(tái)4和卸載臺(tái)5依次設(shè)置于臺(tái)架上，裝載臺(tái)1、預(yù)熱臺(tái)2、PECVD室3、冷卻臺(tái)4和卸載臺(tái)5分別與各自的臺(tái)架通過(guò)螺栓連接，各自的臺(tái)架之間通過(guò)螺栓連接。預(yù)熱臺(tái)2、冷卻臺(tái)4分別連接保護(hù)氣體管路，PECVD室3通過(guò)管路連接真空抽氣系統(tǒng)6。

本實(shí)用新型的安裝及工作過(guò)程如下：

在圖1中，把裝載臺(tái)1、預(yù)熱臺(tái)2、PECVD室3、冷卻臺(tái)4和卸載臺(tái)5分別按照位置用螺栓固定在臺(tái)架上，各臺(tái)架之間用螺栓連接在一起，再把真空抽氣系統(tǒng)6用管路與PECVD室3連接起來(lái)，連接預(yù)熱臺(tái)2和冷卻臺(tái)4的保護(hù)氣體管路及PECVD室3的工藝氣體管路。工作流程：首先把晶硅光伏片擺放在裝載臺(tái)1的承載板7上，然后由自動(dòng)傳輸系統(tǒng)把承載板7傳送到預(yù)熱臺(tái)2進(jìn)行預(yù)加熱，預(yù)熱臺(tái)1不需要真空條件，只采用保護(hù)氣體(如氮?dú)?、氬氣?。當(dāng)承載板7預(yù)熱到500℃后，再由自動(dòng)傳輸系統(tǒng)把承載板7傳送到PECVD室3進(jìn)行覆膜，PECVD室3由進(jìn)氣裝置和加熱裝置及殼體三大部分組成，覆膜工藝要求在真空條件下進(jìn)行，所以配備了真空抽氣系統(tǒng)6。當(dāng)覆膜完成后，由自動(dòng)傳輸系統(tǒng)把承載板7傳送到冷卻臺(tái)4進(jìn)行降溫，冷卻臺(tái)4同樣也不需要真空條件，只采用保護(hù)氣體(如氮?dú)狻鍤獾?。承載板7經(jīng)過(guò)降溫后，由自動(dòng)傳輸系統(tǒng)傳送到卸載臺(tái)5進(jìn)行卸載晶硅光伏片。本裝置只給PECVD室3提供了真空環(huán)境，其余部分都在大氣或是保護(hù)氣體下進(jìn)行工作。