1.一種半導體裝置的制造方法，其中包括如下工序：

準備：基板；與所述基板相間隔而配置的、形成有從一側至另一側的貫通孔的板狀端子臺；以及嵌入所述貫通孔并從所述端子臺突出的端子；

準備第1金屬模和第2金屬模，前者形成有可容納所述基板的第1凹部，后者形成有可容納所述端子臺的第2凹部和可容納設于所述第2凹部內的、從所述端子臺突出的所述端子的第3凹部；

在所述第1凹部內配置所述基板；

在所述第2凹部內配置所述端子臺，同時在所述第3凹部內配置所述端子，用所述端子臺封閉所述第2凹部的開口部；以及

在由所述第1金屬模和所述第2金屬模夾持所述端子臺的周邊部的狀態下，在所述基板與所述端子臺之間充填樹脂，以在所述基板上形成模塑樹脂。

2.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中：

所述端子臺包含從該端子臺的外周面突出的環狀凸緣部，

在形成所述模塑樹脂的工序中，在由所述第1金屬模和所述第2金屬模夾持所述端子臺的所述凸緣部的狀態下，在所述基板與所述端子臺之間充填所述樹脂。

3.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中還包括如下工序：

通過在所述第2凹部內配置所述端子臺，且在所述第3凹部內插入從所述端子臺突出的所述端子，然后加熱所述端子臺，從而使所述端子臺膨脹，使所述端子臺的外周面與確定所述第2凹部的所述第2金屬模的內周面密合。

4.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中：

所述端子臺包含朝所述基板突出的突出部，

在所述端子臺與所述基板之間充填樹脂的工序中，在使所述突出部觸接在所述基板的主表面上且所述端子臺對所述基板定位的狀態下充填所述樹脂。

5.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中：

所述端子臺由熱塑性樹脂形成，所述模塑樹脂由熱固性樹脂形成。

6.一種半導體裝置，其中包括：

具有第1主表面的基板；

在所述基板的所述第1主表面上設置的元件；

在所述基板的所述第1主表面上和所述元件上形成的模塑樹脂；

具有位于所述模塑樹脂上的第2主表面及位于與該第2主表面相反一側的第3主表面的端子臺，其上形成有從所述第2主表面至所述第3主表面的貫通孔，并覆蓋所述模塑樹脂的上表面，該端子臺與所述模塑樹脂相比能在較小負荷下彈性變形；以及

與所述元件連接的突出于所述第3主表面上的端子，該端子穿過所述模塑樹脂內，并嵌入所述端子臺的貫通孔內。

7.如權利要求6中記載的半導體裝置，其中：

所述模塑樹脂由熱固性樹脂形成，所述端子臺由熱塑性樹脂形成。

8.如權利要求6中記載的半導體裝置，其中：

在所述端子臺的所述第3主表面形成孔部或凸部，

所述端子在所述第3主表面上彎曲成沿著所述第3主表面，到達所述孔部或所述凸部，同時設有可插入所述孔部的插入構件或容納所述凸部的容納部。

9.如權利要求6所述的半導體裝置，其中所述基板包括：

具有所述第1主表面的第1金屬板；位于該第1金屬板上與所述第1主表面相反一側的絕緣板；以及位于該絕緣板上與所述第1金屬板相反一側的第2金屬板。

10.如權利要求6所述的半導體裝置，其中：

所述端子臺包含從所述第2主表面向所述基板延伸并插入所述模塑樹脂內的支腳部。