1.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括以下步驟：

處理第一半導體層的表面，以獲得所述表面的至少一個第一區域 和所述表面的至少一個第二區域，所述至少一個第一區域具有平均表 面晶格參數的第一值，所述至少一個第二區域具有與所述第一值不同 的平均表面晶格參數的第二值；

在所述第一半導體層上沉積第二半導體層到一個厚度，使得自組 織島形成覆蓋所述至少一個第一區域和所述至少一個第二區域，且覆 蓋所述至少一個第一區域的所述自組織島具有參數的第一平均值以 及覆蓋所述至少一個第二區域的所述自組織島具有參數的不同于所 述第一平均值的第二平均值；和

在所述第二半導體層上沉積覆蓋層，藉此所述自組織島形成量子 點，覆蓋所述至少一個第一區域的量子點具有不同于覆蓋所述至少一 個第二區域的所述量子點的特性，

其中所述第一半導體層是應變半導體層，并且處理所述第一半導 體層的表面的步驟包括在所述第一半導體層的所述至少一個第一區 域中、或者在所述至少一個第二區域中、或者在所述至少一個第一區 域和所述至少一個第二區域二者中都形成一個或更多應力釋放凹陷 的步驟。

2.根據權利要求1所述的方法，其中

所述半導體器件是半導體發光器件，且

覆蓋所述至少一個第一區域的所述量子點具有不同于覆蓋所述 至少一個第二區域的所述量子點的光學特性。

3.根據權利要求1所述的方法，其中

所述半導體器件是光敏半導體器件，且

覆蓋所述至少一個第一區域的所述量子點具有不同于覆蓋所述 至少一個第二區域的所述量子點的光吸收特性。

4.根據權利要求1所述的方法，其中

所述半導體器件是存儲器件，在所述存儲器件中，載流子存儲在 量子點內，并且其中

覆蓋所述至少一個第一區域的所述量子點具有不同于覆蓋所述 至少一個第二區域的所述量子點的載流子存儲特性。

5.根據權利要求1所述的方法，其中

所述半導體表面進一步具有至少一個第三區域，所述至少一個第 三區域具有不同于所述第一值和所述第二值的平均表面晶格參數的 第三值，藉此，覆蓋所述至少一個第三區域的所述量子點具有不同于 覆蓋所述至少一個第一區域的所述量子點的特性以及不同于覆蓋所 述至少一個第二區域的所述量子點的特性。

6.根據權利要求5所述的方法，其中

覆蓋所述至少一個第一區域的所述量子點具有不同于覆蓋所述 至少一個第二區域的所述量子點的光學特性，且其中

覆蓋所述至少一個第三區域的所述量子點具有不同于覆蓋所述 至少一個第一區域的所述量子點的光學特性以及不同于覆蓋所述至 少一個第二區域的所述量子點的光學特性。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述參數是在垂直于所述 表面的平面的方向上的所述自組織島的平均高度。

8.根據權利要求1所述的方法，其中

所述參數是在平行于所述表面的平面的方向上的所述自組織島 的平均寬度。

9.根據權利要求1所述的方法，其中

所述參數是所述自組織島的平均形狀。

10.根據權利要求1所述的方法，其中

所述參數是所述自組織島的平均成分。

11.根據權利要求1所述的方法，其中

處理所述第一半導體層的表面的步驟包括在所述第一半導體層 的所述至少一個第一區域內形成一個或更多應力釋放凹陷的步驟。

12.根據權利要求11所述的方法，其中

處理所述第一半導體層的表面的步驟包括在所述第一半導體層 的所述至少一個第二區域內形成一個或更多應力釋放凹陷的步驟。