[發明專利]用于高速數據輸入/輸出的半導體存儲器件有效
| 申請號: | 200810168266.1 | 申請日: | 2008-10-06 |
| 公開(公告)號: | CN101521040A | 公開(公告)日: | 2009-09-02 |
| 發明(設計)人: | 辛范柱;尹相植 | 申請(專利權)人: | 海力士半導體有限公司 |
| 主分類號: | G11C7/10 | 分類號: | G11C7/10;G11C11/4093 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人: | 楊林森;康建峰 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 高速 數據 輸入 輸出 半導體 存儲 器件 | ||
1.一種半導體存儲器件,包括:
第一串行化器,配置成部分地串行化響應于讀取命令而從內部單位單 元接收的輸入的8位并行數據來輸出第一至第四串行數據;
第二串行化器,配置成部分地串行化所述第一至第四串行數據來輸出 第五串行數據和第六串行數據;以及
第三串行化器,配置成串行化所述第五串行數據和第六串行數據來輸 出第七串行數據,
其中所述第一串行化器包括:
第一移相器,配置成將所述8位并行數據當中的4位數據的相位移動 所述第七串行數據中的每個數據的數據窗的四倍;
第一多路復用器,配置成對所述8位并行數據當中的其它4位數據和 所述第一移相器的輸出進行多路復用來輸出所述第一至第四串行數據;以 及
第一鎖存單元,配置成鎖存所述第一多路復用器的輸出。
2.如權利要求1所述的半導體存儲器件,其中所述第一至第四串行 數據中的每個數據的窗為所述第七串行數據中的每個數據的窗的四倍。
3.如權利要求1所述的半導體存儲器件,其中所述第一移相器包括:
多個單元移相器,配置成移動由所述第一移相器移動的所述8位并行 數據當中的4位數據的相位,所述單元移相器中的每一個包括:
反相器,配置成反相輸入數據;
傳送門,配置成響應于第一控制脈沖而傳送所述反相器的輸出;以及
反相器鎖存器,配置成鎖存和反相所述傳送門的輸出。
4.如權利要求1所述的半導體存儲器件,其中所述第一鎖存單元包 括:
多個單元鎖存器,配置成鎖存從所述第一多路復用器輸出的所述第一 至第四串行數據,所述單元鎖存器中的每一個包括:
與非門,配置成響應于數據傳送信號而反相所述第一至第四串行數據 中的每個數據;
傳送門,配置成在為所述第七串行數據中的每個數據的數據窗四倍的 時間間隔下傳送所述與非門的輸出;以及
反相器鎖存器,配置成鎖存和反相所述傳送門的輸出。
5.如權利要求1所述的半導體存儲器件,進一步包括:
串行化控制器,配置成響應于讀取數據輸出信號而控制所述第一移相 器、所述第一多路復用器和所述第一鎖存單元,所述讀取數據輸出信號用 于響應于所述讀取命令和用作數據輸出的準則的數據時鐘來啟用數據輸 出。
6.如權利要求5所述的半導體存儲器件,其中所述串行化控制器包 括:
第一鎖存器,配置成響應于所述讀取數據輸出信號而產生第一控制脈 沖來控制所述第一移相器;
第二鎖存器,配置成產生具有為所述數據時鐘的周期兩倍的啟動周期 的第二控制脈沖來控制所述第一多路復用器;以及
第三鎖存器,配置成輸出具有為數據時鐘的周期四倍的啟動周期的數 據傳送信號來控制所述第一鎖存單元。
7.如權利要求1所述的半導體存儲器件,其中從所述第二串行化器 輸出的所述第五串行數據和第六串行數據中的每個數據的數據窗為所述 第七串行數據中的每個數據的數據窗的兩倍。
8.如權利要求1所述的半導體存儲器件,其中所述第二串行化器包 括:
第二移相器,配置成將所述第一至第四串行數據的一部分的相位移動 所述第七串行數據中的每個數據的數據窗的兩倍;
第二多路復用器,配置成對所述第一至第四串行數據的其它部分和所 述第二移相器的輸出進行多路復用來輸出所述第五串行數據和第六串行 數據;以及
第二鎖存單元,配置成鎖存所述第二多路復用器的輸出。
9.如權利要求1所述的半導體存儲器件,其中所述第三串行化器 包括:
第三移相器,配置成使所述第五串行數據和第六串行數據的一部分的 相位移動所述第七串行數據中的每個數據的數據窗;以及
第三多路復用器,配置成對所述第五串行數據和第六串行數據的其它 部分和所述第三移相器的輸出進行多路復用來輸出所述第七串行數據。
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