[發明專利]無電鍍鎳的方法及由該方法制得的電路板無效
| 申請號: | 200810161094.5 | 申請日: | 2008-09-26 |
| 公開(公告)號: | CN101684552A | 公開(公告)日: | 2010-03-31 |
| 發明(設計)人: | 江德馨 | 申請(專利權)人: | 聯鼎電子科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C18/32 | 分類號: | C23C18/32;C23C18/34;H05K3/18 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產權代理有限公司 | 代理人: | 潘培坤 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電鍍 方法 法制 電路板 | ||
1.一種無電鍍鎳的方法,包括以下步驟:
將一被鍍物置于一第一鍍液中;
于該被鍍物上鍍上一第一鎳層,其中該第一鎳層為鎳磷合金;以及
于該第一鎳層上鍍上一第二鎳層,其中該第二鎳層為鎳磷合金,其中該第二鎳層的磷含量低于該第一鎳層的磷含量。
2.如權利要求1所述的無電鍍鎳的方法,其中該第一鍍液中包括一第一啟鍍劑,該第一啟鍍劑包括有機硫化物或無機硫化合物。
3.如權利要求2所述的無電鍍鎳的方法,其中在進行于該被鍍物上鍍上該第一鎳層的步驟中,還包括下列步驟:
控制該第一鎳層的硫共析量介于300ppm至600ppm之間。
4.如權利要求1所述的無電鍍鎳的方法,其中該第一鍍液使用第2.5至第5個MTO的鍍液。
5.如權利要求1所述的無電鍍鎳的方法,其中在進行于該被鍍物上鍍上該第一鎳層的步驟中,還包括下列步驟:
控制該第一鍍液保持一第一溫度,其中該第一溫度介于75℃至85℃之間。
6.如權利要求5所述的無電鍍鎳的方法,其中該第一溫度介于81℃至83℃之間。
7.如權利要求1所述的無電鍍鎳的方法,其中在于該被鍍物上鍍上該第一鎳層的步驟中,還包括下列步驟:
控制該第一鍍液于一第一pH值,其中該第一pH值介于4.0至4.6之間。
8.如權利要求7所述的無電鍍鎳的方法,其中該第一pH值介于4.1至4.3之間。
9.如權利要求1所述的無電鍍鎳的方法,其中在于該被鍍物上鍍上該第一鎳層的步驟前,還包括下列步驟:
將該被鍍物置于一活化槽進行觸媒活化。
控制該活化槽保持在一第一銅含量,其中該第一銅含量介于100ppm至180ppm。
10.如權利要求9所述的無電鍍鎳的方法,其中該第一銅含量介于130ppm至150ppm。
11.如權利要求1所述的無電鍍鎳的方法,其中在于該被鍍物上鍍上該第一鎳層的步驟后,還包括下列步驟:
將已鍍上該第一鎳層的被鍍物移至一第二鍍液中。
12.如權利要求11所述的無電鍍鎳的方法,其中該第二鍍液包括一第二啟鍍劑,該第二啟鍍劑包括硫,其中該第二啟鍍劑的硫含量低于該第一啟鍍劑的硫含量。
13.如權利要求12所述的無電鍍鎳的方法,其中該第二啟鍍劑可為與第一啟鍍劑相同的啟鍍劑,或為與第一啟鍍劑不同的含硫化合物的啟鍍劑,或為所述與第一啟鍍劑相同的啟鍍劑以及所述與第一啟鍍劑不同的含硫化合物的啟鍍劑的混合物。
14.如權利要求13所述的無電鍍鎳的方法,其中在于該第一鎳層上鍍上該第二鎳層的步驟中,還包括下列步驟:
控制該第二鎳層的硫共析量低于300ppm。
15.如權利要求13所述的無電鍍鎳的方法,其中在于該第一鎳層上鍍上該第二鎳層的步驟中,還包括下列步驟:
控制該第二鎳層的硫共析量低于200ppm。
16.如權利要求11所述的無電鍍鎳的方法,其中該第二鍍液使用第0至第2.5個MTO的鍍液。
17.如權利要求11所述的無電鍍鎳的方法,其中在進行于該第一鎳層上鍍上該第二鎳層的步驟中,還包括下列步驟:
控制該第二鍍液保持一第二溫度,其中該第二溫度介于75℃至85℃之間。
18.如權利要求17所述的無電鍍鎳的方法,其中該第二溫度介于81℃至83℃之間。
19.如權利要求11所述的無電鍍鎳的方法,其中在進行于該第一鎳層上鍍上該第二鎳層的步驟中,還包括下列步驟:
控制該第二電鍍液于一第二pH值,其中該第二pH值介于4.7至6.0之間。
20.如權利要求19所述的無電鍍鎳的方法,其中該第二pH值介于5.2至5.5之間。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于聯鼎電子科技有限公司,未經聯鼎電子科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.17sss.com.cn/pat/books/200810161094.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:熔化硅的方法和系統
- 下一篇:一種膨脹正畸支抗種植體
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C18-00 通過液態化合物分解抑或覆層形成化合物溶液分解、且覆層中不留存表面材料反應產物的化學鍍覆
C23C18-02 .熱分解法
C23C18-14 .輻射分解法,例如光分解、粒子輻射
C23C18-16 .還原法或置換法,例如無電流鍍
C23C18-54 .接觸鍍,即無電流化學鍍
C23C18-18 ..待鍍材料的預處理





