1、一種半導體結構，用于薄膜光伏器件的光吸收，所述半導體結構包括：

基于硅的包括非晶硅或納米晶硅的p層；

在p層表面的非晶鍺本征i層；和

在非晶鍺本征i層表面的基于硅的包括非晶硅或納米晶硅或a-SiGe的n層。

2、如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于：在所述p層和非晶鍺本征i層之間包括過渡層。

3、如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于：在所述非晶鍺本征i層和n層之間包括過渡層。

4、如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于：在所述p層和非晶鍺本征i層之間、非晶鍺本征i層和n層之間包括過渡層。

5、如權利要求2、3或4所述的半導體結構，其特征在于：所述過渡層的材料包括非晶硅鍺、混合相硅或納米晶硅。

6、如權利要求5所述的半導體結構，其特征在于：所述非晶鍺本征i層的厚度包括100～300納米的范圍。

7、一種薄膜光伏器件，所述薄膜光伏器件為三結光伏器件，包括：

本征層為非晶硅的頂結光電轉換單元；

本征層為納米晶硅的中間結光電轉換單元；和

本征層包括非晶鍺的底結光電轉換單元。

8、如權利要求7所述的薄膜光伏器件，其特征在于：所述納米晶硅本征層的厚度包括800～1500納米的范圍，所述非晶鍺本征層的厚度包括100～300納米的范圍。

9、一種薄膜光伏器件，所述薄膜光伏器件為三結光伏器件，包括：

本征層為非晶硅的頂結光電轉換單元；

本征層為非晶硅的中間結光電轉換單元；和

本征層包括非晶鍺的底結光電轉換單元；以及

在中間結光電轉換單元和底結光電轉換單元之間的透明導電氧化物層。

10、如權利要求9所述的薄膜光伏器件，其特征在于：所述透明導電氧化物層的材料包括氧化鋅。

11、一種薄膜光伏器件，所述薄膜光伏器件為四結光伏器件，包括：

本征層為非晶硅的頂結光電轉換單元；

本征層為非晶硅鍺的第二結光電轉換單元；

本征層為納米晶硅的第三結光電轉換單元；

本征層包括非晶鍺的底結光電轉換單元。