[發明專利]掩模布局方法、半導體器件及其制造方法無效
| 申請號: | 200810097071.2 | 申請日: | 2008-05-12 |
| 公開(公告)號: | CN101304025A | 公開(公告)日: | 2008-11-12 |
| 發明(設計)人: | 李相熙;曹甲煥 | 申請(專利權)人: | 東部高科股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L27/146;H01L23/00;H01L21/00;H01L21/82;G03F1/14 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產權代理有限公司 | 代理人: | 鄭小軍 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 布局 方法 半導體器件 及其 制造 | ||
1.一種掩模布局方法,包括以下步驟:
形成第一虛設圖案,該第一虛設圖案包括有開放空間;
在所述第一虛設圖案的所述開放空間內形成第二虛設圖案,
其中形成所述第一虛設圖案的步驟包括:
形成第一母虛設圖案;
收縮所述第一母虛設圖案以形成第三虛設圖案;以及
綜合所述第三虛設圖案和所述第一母虛設圖案,以移除所述第一母虛設圖案與所述第三虛設圖案重疊的部分,從而形成所述第一虛設圖案。
2.根據權利要求1所述的掩模布局方法,其中形成所述第二虛設圖案的步驟包括:
收縮所述第三虛設圖案;以及
在所述第一虛設圖案的所述開放空間內沉積所述經收縮的第三虛設圖案。
3.根據權利要求2所述的掩模布局方法,其中收縮所述第三虛設圖案的步驟包括收縮所述第三虛設圖案以形成另一個第三虛設圖案,然后收縮所述另一個第三虛設圖案以形成所述第二虛設圖案。
4.根據權利要求2所述的掩模布局方法,還包括以不同于所述第一虛設圖案的圖案類型替換所述經收縮的第三虛設圖案。
5.根據權利要求4所述的掩模布局方法,其中以不同于所述第一虛設圖案的圖案類型替換所述經收縮的第三虛設圖案的步驟是于所述第一虛設圖案的所述開放空間內沉積所述經收縮的第三虛設圖案之后執行的。
6.根據權利要求4所述的掩模布局方法,其中以不同于所述第一虛設圖案的圖案類型替換所述收縮的第三虛設圖案的步驟是于所述第一虛設圖案的所述開放空間內沉積所述收縮后的第三虛設圖案之前執行的。
7.根據權利要求4所述的掩模布局方法,其中所述第一虛設圖案的所述圖案類型為有源層類型虛設圖案,而所述第二虛設圖案的圖案類型是多晶類型虛設圖案。
8.根據權利要求1所述的掩模布局方法,其中所述第一虛設圖案為環形形狀。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





