1.一種凸塊工藝，包含下列步驟：

提供一晶片，該晶片具有一主動表面及至少一接墊形成于該主動表面上；

覆蓋保護層于該晶片的主動表面上，并裸露出該接墊；

形成凸塊下金屬層于該接墊上；

配置膠膜于該保護層上，并覆蓋該凸塊下金屬層，其中該膠膜為微氣泡膜；

對該膠膜進行選擇性的曝光，使得位于該凸塊下金屬層上方的膠膜受到曝光；

移除該膠膜的曝光部分，并留下該膠膜未曝光的部分，以使得該凸塊下金屬層裸露；

分布錫膏于該凸塊下金屬層上；

在將該晶片上剩余的膠膜曝光后以撕膜機撕除該剩余的膠膜；及

借助一回焊工藝使該錫膏形成金屬凸塊。

2.如權利要求1所述的凸塊工藝，其中該膠膜的曝光部分是以顯影劑去除。

3.如權利要求1所述的凸塊工藝，其中是使用掩膜對該膠膜進行選擇性的曝光。

4.如權利要求1所述的凸塊工藝，其中在所述分布錫膏于該凸塊下金屬層上的步驟之后且在所述在將該晶片上剩余的膠膜曝光后以撕膜機撕除該剩余的膠膜的步驟之前更包括進行另一回焊工藝。