技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及在基于化學(xué)蒸鍍法的薄膜蒸鍍時(shí)調(diào)節(jié)固體燃料流量的源氣體供給裝置。更詳細(xì)地講，本發(fā)明涉及能夠抑制由于輸運(yùn)氣體而導(dǎo)致源物質(zhì)移動(dòng)到源物質(zhì)蒸發(fā)部的外部的源氣體供給裝置。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體元件和集成電路的制作中，使多種薄膜(Thin?film)蒸鍍。在薄膜蒸鍍方法中大體包括物理蒸鍍法(Physical?Vapor?Deposition；PVD)和化學(xué)蒸鍍法(Chemical?Vapor?Deposition；CVD)。

其中，化學(xué)蒸鍍法是使要蒸鍍的薄膜以氣體狀態(tài)移動(dòng)到晶片表面、且通過(guò)氣體的反應(yīng)使薄膜蒸鍍?cè)诒砻娴姆椒ǎ蚓哂锌梢酝ㄟ^(guò)材料的選擇使各種各樣的薄膜形成、可以通過(guò)比較簡(jiǎn)單的工序處理大量的工作的優(yōu)點(diǎn)而被廣泛使用。另外，化學(xué)蒸鍍法容易形成微細(xì)薄膜層，所以具有可以被應(yīng)用于諸如半導(dǎo)體元件的絕緣層和有源層、液晶顯示元件的透明電極、電發(fā)光顯示元件的發(fā)光層、以及保護(hù)層等眾多領(lǐng)域的優(yōu)點(diǎn)。

在化學(xué)蒸鍍法的情況下，蒸鍍壓力直接受到從供給要蒸鍍的薄膜物質(zhì)的原料的源氣體供給裝置所供給的源氣體的流量(即，源氣體的壓力)的影響。即，為了在CVD中適當(dāng)?shù)乜刂普翦儔毫Γ瑹o(wú)論如何必須正確地調(diào)節(jié)在源氣體供給裝置中的源氣體壓力。源氣體的壓力調(diào)節(jié)，在需要高精度且恒定地調(diào)節(jié)蒸鍍速度時(shí)特別重要。

圖1是表示以往的源氣體供給裝置的結(jié)構(gòu)的略圖。以往的源氣體供給裝置由儲(chǔ)存氣體物質(zhì)12的源物質(zhì)蒸發(fā)部11、加熱器13、及輸運(yùn)氣體供給部14構(gòu)成。一般地，因?yàn)樵次镔|(zhì)在常溫下是以固體的粉末狀存在的，所以為了對(duì)源物質(zhì)進(jìn)行源氣體化，則必須將源物質(zhì)加熱到常溫以上。此時(shí)，加熱器13起到加熱源物質(zhì)的作用。另外，源氣體因?yàn)楸戎卮蠊室苿?dòng)性小，所以利用輸運(yùn)氣體(carrier?gas)而達(dá)到源氣體順利地移動(dòng)到蒸鍍室內(nèi)。通常，作為輸運(yùn)氣體，可以使用不活潑、且使源氣體到蒸鍍室的移動(dòng)變得容易的高純度的氬、氦、氮等。

但是，在圖1中所示的以往的源氣體供給裝置中，存在因輸運(yùn)氣體的壓力而導(dǎo)致源物質(zhì)流出到外部的問(wèn)題。即，因流入源物質(zhì)蒸發(fā)部11的輸運(yùn)氣體的壓力，而導(dǎo)致源物質(zhì)12以本來(lái)的粉末狀與源氣體一起流出到源物質(zhì)蒸發(fā)部11的外部，并對(duì)化學(xué)蒸鍍工序帶來(lái)如下的不良影響。

第一，可能會(huì)引起流出的粉末狀源物質(zhì)12流入到設(shè)置在源物質(zhì)蒸發(fā)部11和蒸鍍室之間的多個(gè)閥(未圖示)而淀積、閥門(mén)堵塞的現(xiàn)象。因?yàn)橄襁@樣的閥門(mén)的堵塞引起由于閥門(mén)維護(hù)和更換的工序成本及工序時(shí)間的增加，所以成為使要整體制造的器件制造成本增加的主要因素。

第二，流出的粉末狀的源物質(zhì)12流入到蒸鍍室，結(jié)果引起使蒸鍍?cè)诨迳系谋∧の廴镜默F(xiàn)象。像這樣的薄膜的污染成為使要制造的器件的可靠性嚴(yán)重下降的主要因素。

發(fā)明內(nèi)容

因此，為了解決上述以往技術(shù)的問(wèn)題而作出本發(fā)明，其目的在于，提供一種源氣體供給裝置，能夠抑制源物質(zhì)的外部流出。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明涉及的源氣體供給裝置，在基于化學(xué)蒸鍍法的薄膜蒸鍍時(shí)使用，其特征在于，包含：源物質(zhì)蒸發(fā)部，加熱源物質(zhì)而生成源氣體；及輸運(yùn)氣體供給部，向上述源物質(zhì)蒸發(fā)部供給使上述源氣體運(yùn)輸?shù)秸翦兪业妮斶\(yùn)氣體；在上述源物質(zhì)蒸發(fā)部?jī)?nèi)，設(shè)置有抑制上述源物質(zhì)通過(guò)上述輸運(yùn)氣體而移動(dòng)到上述源物質(zhì)蒸發(fā)部的外部的構(gòu)件。這里，上述抑制構(gòu)件包括向上述源物質(zhì)蒸發(fā)部?jī)?nèi)引導(dǎo)上述輸運(yùn)氣體的輸運(yùn)氣體導(dǎo)管，且上述輸運(yùn)氣體導(dǎo)管的端部?jī)?yōu)選不與源物質(zhì)相對(duì)。

另外，上述抑制構(gòu)件可以包括篩網(wǎng)或金屬板中的任一個(gè)，而且也可以包括全部篩網(wǎng)及金屬板。

本發(fā)明的效果如下：

根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)設(shè)置對(duì)因輸運(yùn)氣體而使粉末狀的源物質(zhì)向物質(zhì)蒸發(fā)部的外部的流出進(jìn)行抑制的構(gòu)件，具有減少閥門(mén)的故障以增加化學(xué)蒸鍍裝置壽命并降低設(shè)備制造成本，同時(shí)減少制造的薄膜的污染并提高設(shè)備可靠性的效果。

附圖說(shuō)明

圖1是表示以往的源氣體供給裝置的結(jié)構(gòu)的略圖。

圖2是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式涉及的源氣體供給裝置的結(jié)構(gòu)的略圖。

圖3是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式涉及的源氣體供給裝置的結(jié)構(gòu)的略圖。

圖4是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式涉及的源氣體供給裝置的結(jié)構(gòu)的略圖。

符號(hào)說(shuō)明

21????源物質(zhì)蒸發(fā)部

22????源物質(zhì)

23????加熱器

24????輸運(yùn)氣體供給部

25????輸運(yùn)氣體導(dǎo)管

26????篩網(wǎng)

27????金屬板

具體實(shí)施方式

參照以下附圖，針對(duì)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)地說(shuō)明。