1.一種納米硅異質結壓敏二極管，包括單晶硅基片、沉積于單晶硅基片上的納米硅薄膜、分別與單晶硅基片和納米硅薄膜歐姆連接的一對電極，所述納米硅薄膜與單晶硅基片構成納米硅/單晶硅異質結構，其特征在于：所述單晶硅基片的平均電阻率約為0.001Ω·cm-0.0001Ω·cm，載流子濃度約為5.0×10¹⁹cm^-3-1.0×10²¹cm^-3，所述納米硅薄膜厚度約為3.0μm-8.0μm。

2.根據權利要求1所述的納米硅異質結壓敏二極管，其特征在于：所述的單晶硅基片為P⁺型摻雜，所述納米硅薄膜為N⁺型摻雜，二者構成N⁺/P⁺型的納米硅/單晶硅異質結構。

3.根據權利要求2所述的納米硅異質結壓敏二極管，其特征在于：所述的N⁺型納米硅薄膜為磷摻雜。

4.根據權利要求3所述的納米硅異質結壓敏二極管，其特征在于：所述的電極是歐姆連接于單晶硅基片的Al電極，以及歐姆連接于納米硅薄膜的In電極。

5.一種利用如權利要求1所述的納米硅異質結壓敏二極管制成的納米硅異質結壓力傳感器，其特征在于，包括納米硅異質結壓敏二極管、壓力傳遞柱、皮安表、恒壓源、承壓臺、導電基座，所述的壓力傳遞柱一端固接承壓臺，另一端正抵壓在納米硅異質結壓敏二極管的正極上，該壓力傳遞柱導電且與該電極形成歐姆連接，所述的皮安表一極連接在壓力傳遞柱上，其另一極與恒壓源的負極連接，所述的恒壓源正極通過導電基座與納米硅異質結壓敏二極管的負極連接，使納米硅壓敏二極管處于反向偏置狀態，形成回路。

6.根據權利要求5所述的納米硅異質結壓力傳感器，其特征在于：所述的納米硅異質結壓敏二極管的負極抵壓設置有一導電基座，且該導電基座通過導線、恒壓源、皮安表、壓力傳遞柱與該二極管的正極形成歐姆連接，所述壓力傳遞柱的上端與承壓臺固定，所述承壓臺可以加載壓力。

7.根據權利要求6所述的納米硅異質結壓力傳感器，其特征在于：所述的導電基座接地連接，所述的皮安表的正極連接恒壓源的負極，該恒壓源正極接地，使納米硅異質結壓敏二極管處于反向偏置狀態。

8.根據權利要求7所述的納米硅異質結壓力傳感器，其特征在于：所述的壓力傳遞柱外側固接有與之適配的方向保持架。

9.根據權利要求8所述的納米硅異質結壓力傳感器，其特征在于：所述的與壓力傳遞柱歐姆連接的電極為歐姆連接于單晶硅基片的Al電極，所述的壓力傳遞柱為鋁柱；所述的歐姆連接于納米硅薄膜的電極為In電極，所述的與In電極歐姆連接的基座為鎢基座。