[發(fā)明專利]一種加工微米/亞微米尺度塊體試樣的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810017630.4 | 申請日： | 2008-03-06 |
| 公開（公告）號： | CN101249937A | 公開（公告）日： | 2008-08-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 孫軍;陳威;孫巧艷;宋振亞;肖林;余倩;姚希;張德紅;張臨財 | 申請（專利權(quán)）人： | 西安交通大學(xué) |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00;G03F1/14;G03F7/20;G03F7/26 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 | 代理人： | 陳翠蘭 |
| 地址： | 710049*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 加工 微米 尺度 塊體 試樣 方法 | ||
1.一種加工微米/亞微米尺度塊體試樣的方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)加工光刻蝕所用的掩膜板：在掩膜板上加工若干個相同尺寸的圖案，設(shè)計的掩膜板上的圖案尺寸大于欲得到的最終微米/亞微米塊體試樣尺寸；
(2)采用光刻技術(shù)將掩膜板上的圖案復(fù)制到涂有光刻正膠的已研磨拋光的待刻蝕材料表面上，再將待刻蝕材料在60～100℃下烘干3～8分鐘；
(3)將待刻蝕材料浸入腐蝕液中，同時以30～60轉(zhuǎn)/分鐘勻速攪拌腐蝕液，腐蝕0.5～3分鐘后取出刻蝕材料，再將其放入丙酮溶液中進(jìn)行清洗，得到微米尺度的塊體試樣；所述的待刻蝕材料為有合適腐蝕劑的金屬多晶、金屬單晶和非晶；
(4)對通過光刻蝕得到的微米尺度的塊體試樣進(jìn)行聚焦離子束修刻，利用Ga+束轟擊掉試樣上多余的部分，得到精確的最終尺寸的微米/亞微米尺度塊體試樣。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加工微米/亞微米尺度塊體試樣的方法，其特征在于，待刻蝕材料為有合適腐蝕液的Ti單晶，Ti5Al單晶和Cu46Zr47Al7非晶。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加工微米/亞微米尺度塊體試樣的方法，其特征在于，所述的腐蝕液指Ti單晶的腐蝕液為3％HF+97％H2O或5％HF+95％H2O，Ti5Al單晶的腐蝕液為5％HF+95％H2O，Cu46Zr47Al7非晶的腐蝕液為1％HF+99％H2O。
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