1.一種結晶態功能性鉻鍍層，所述結晶態功能性鉻鍍層具有2.8895±0.0025的晶格參數，其特征在于，所述結晶態功能性鉻鍍層包含碳、氮和硫。

2.根據權利要求1所述的結晶態功能性鉻鍍層，其特征在于，所述結晶態功能性鉻鍍層從三價電鍍浴中電鍍而成。

3.根據權利要求1所述的結晶態功能性鉻鍍層，其特征在于，所述結晶態功能性鉻鍍層包含1重量％-10重量％的硫。

4.根據權利要求1所述的結晶態功能性鉻鍍層，其特征在于，所述結晶態功能性鉻鍍層包含0.1重量％-5重量％的氮。

5.根據權利要求1所述的結晶態功能性鉻鍍層，其特征在于，所述結晶態功能性鉻鍍層包含碳的量少于無定形鉻鍍層中存在的量。

6.根據權利要求1所述的結晶態功能性鉻鍍層，其特征在于，所述結晶態功能性鉻鍍層包含1.7重量％-4重量％的硫、0.1重量％-3重量％的氮和0.1重量％-10重量％的碳。

7.根據權利要求1-6中任意一項所述的結晶態功能性鉻鍍層，其特征在于，所述結晶態功能性鉻鍍層幾乎完全沒有宏觀裂紋。

8.根據權利要求1-6中任意一項所述的結晶態功能性鉻鍍層，其特征在于，所述結晶態功能性鉻鍍層具有{111}擇優取向。

9.一種包括結晶態功能性鉻鍍層的物品，其特征在于，所述結晶態功能性鉻鍍層具有2.8895±0.0025的晶格參數，且進一步包含碳、氮和硫。

10.根據權利要求9所述的物品，其特征在于，所述結晶態功能性鉻鍍層具有{111}擇優取向。

11.一種在底物上電鍍結晶態功能性鉻鍍層的方法，包括：

提供一種含有三價鉻、有機添加劑、氮源、pH值范圍為5-6和至少一種二價硫源，和幾乎完全沒有六價鉻的電鍍浴；

將底物沉浸在電鍍浴中；和

使用電流將結晶態功能性鉻鍍層鍍到底物上，其中鉻鍍層為晶體狀沉積態；其中，結晶態功能性鉻鍍層具有2.8895±0.0025的晶格參數，且進一步包含碳、氮和硫；且二價硫源包含一種或多種的蛋氨酸、胱氨酸、硫代嗎啉、硫代二丙酸、硫代二乙醇、半胱氨酸、烯丙基硫醚、硫代水楊酸和3，3’-二硫代二丙酸。

12.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，所述結晶態功能性鉻鍍層具有{111}擇優取向。

13.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，所述結晶態功能性鉻鍍層包含1重量％-10重量％的硫。

14.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，所述結晶態功能性鉻鍍層包含0.1重量％-5重量％的氮。

15.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，所述結晶態功能性鉻鍍層包含碳的量少于無定形鉻鍍層中存在的量。

16.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，所述結晶態功能性鉻鍍層包含1.7重量％-4重量％的硫、0.1重量％-3重量％的氮和0.1重量％-10重量％的碳。

17.根據權利要求11-16任一所述的方法，其特征在于，所述結晶態功能性鉻鍍層幾乎完全沒有宏觀裂紋。

18.根據權利要求11-16任一所述的方法，其特征在于，所述氮源包含氫氧化銨或銨鹽或伯胺、仲胺、叔胺。

19.根據權利要求11-16任一所述的方法，其特征在于，所述電鍍浴的溫度范圍為35℃-95℃。

20.根據權利要求11-16任一所述的方法，其特征在于，所述所用電流的電流密度為至少10安培每平方分米(A/dm²)。

21.根據權利要求11-16任一所述的方法，其特征在于，所述電流為使用直流電、脈沖波形或脈沖周期性反轉波形中的任何一種或任意兩種或多種的組合。

22.根據權利要求11-16任一所述的方法，其特征在于，所述結晶態功能性鉻鍍層當加熱到300℃的溫度時，沒有形成宏觀裂紋。

23.根據權利要求11-16任一所述的方法，其特征在于，所述有機添加劑包括一種或多種的甲酸或其鹽、氨基酸或硫氰酸鹽。