[發明專利]SOI晶片的制造方法及SOI晶片有效

申請號：	200780002924.3	申請日：	2007-01-15
公開（公告）號：	CN101371334A	公開（公告）日：	2009-02-18
發明（設計）人：	八木真一郎	申請（專利權）人：	信越半導體股份有限公司
主分類號：	H01L21/02	分類號：	H01L21/02;H01L21/20;H01L21/205;H01L27/12
代理公司：	隆天國際知識產權代理有限公司	代理人：	高龍鑫
地址：	日本***	國省代碼：	日本;JP
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摘要：
搜索關鍵詞：	soi 晶片制造方法
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【權利要求書】：

1.一種SOI晶片的制造方法，是針對在基底晶片上已形成氧化膜與SOI 層的SOI晶片的SOI層上，使磊晶層生長增厚SOI層的SOI晶片的制造方法，其特征為：

使用設置在上述SOI層側的加熱光源進行單面加熱，由此，通過分別調節上述氧化膜的厚度與上述SOI層的厚度，以使上述磊晶層生長的SOI晶片的磊晶生長開始時的加熱光的波長域中的表面反射率，成為30％以上80％以下的方式，來進行磊晶生長。

2.如權利要求1所述的SOI晶片的制造方法，其中，使上述磊晶層生長的SOI晶片，是將氫離子、稀有氣體離子或這些的混合氣體離子，從結合晶片的表面進行離子注入，于晶片內部形成離子注入層，然后使該結合晶片的離子注入側的表面與基底晶片的表面，隔著氧化膜而密著，接著，施加熱處理，以該離子注入層作為劈開面，使結合晶片薄膜狀地分離而制作。

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