[發(fā)明專利]電可編程電阻器和方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710181926.5 | 申請日： | 2007-10-17 |
| 公開（公告）號： | CN101165857A | 公開（公告）日： | 2008-04-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | K·M·沃森;B·T·弗格利 | 申請（專利權(quán)）人： | 國際商業(yè)機器公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L21/82;H01L29/86;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務(wù)所 | 代理人： | 于靜;劉瑞東 |
| 地址： | 美國*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 可編程 電阻器 方法 | ||
1.一種方法，包括：
在襯底中形成擴散電阻器；
鄰近所述擴散電阻器形成受陷電荷區(qū)域；以及
通過控制所述受陷電荷區(qū)域中的受陷電荷，調(diào)節(jié)所述擴散電阻器的電阻值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述區(qū)域的形成包括形成在其間具有硅氮化物層的一對硅氧化物層，其中所述受陷電荷位于所述硅氮化物層中。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，還包括在上層的硅氧化物層上形成柵極層，并將所述柵極層、所述一對硅氧化物層和所述硅氮化物層構(gòu)圖為柵極結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述區(qū)域的形成包括形成包括硅氮化物和硅氧化物中的至少一個的受陷電荷層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述區(qū)域的形成包括形成多晶硅層，其中所述受陷電荷位于所述多晶硅層中。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述調(diào)節(jié)包括控制受陷電荷的量。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述形成包括將所述電阻值設(shè)定為低于通過所述調(diào)節(jié)獲得的目標電阻值的值。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述襯底為p型摻雜，所述擴散電阻器為n型摻雜，以及所述受陷電荷包括電子。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中所述受陷電荷區(qū)域的形成包括將正向偏置經(jīng)過p型阱施加給所述受陷電荷區(qū)域下的n型隔離區(qū)并將反向偏置經(jīng)過p型阱施加給所述擴散電阻器，以將電子加速到所述受陷電荷區(qū)域中。
10.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中所述受陷電荷區(qū)域的形成包括將反向偏置經(jīng)過p型阱施加給所述擴散電阻器，以將電子加速到所述受陷電荷區(qū)域中。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中所述受陷電荷區(qū)域的形成還包括將正向偏置經(jīng)過p+阱施加給n型隔離區(qū)，以提供加速到所述受陷電荷區(qū)域中的電子。
12.一種方法，包括：
在襯底中形成擴散電阻器；以及
通過控制鄰近所述擴散電阻器的受陷電荷區(qū)域中的受陷電荷，電編程所述擴散電阻器的電阻值。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中所述受陷電荷區(qū)域包括在其間具有硅氮化物層的一對硅氧化物層，其中所述受陷電荷位于所述硅氮化物層中。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，還包括在上層的硅氧化物層上形成柵極層，并將所述柵極層、所述一對硅氧化物層和所述硅氮化物層構(gòu)圖為柵極結(jié)構(gòu)。
15.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，還包括通過形成包括硅氮化物和硅氧化物中的至少一個的受陷電荷層，形成所述受陷電荷區(qū)域。
16.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，還包括通過形成包括硅氮化物和硅氧化物中的至少一個的受陷電荷層，形成所述受陷電荷區(qū)域。
17.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，還包括通過形成多晶硅層形成所述受陷電荷區(qū)域，其中所述受陷電荷區(qū)域位于所述多晶硅層中。
18.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中所述形成包括將所述電阻值設(shè)定為低于通過所述編程獲得的目標電阻值的值。
19.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中所述襯底為p型摻雜，所述擴散電阻器為n型摻雜，以及所述受陷電荷包括電子。
20.根據(jù)權(quán)利要求19的方法，還包括將反向偏置經(jīng)過p型阱施加給所述擴散電阻器以將電子加速到所述受陷電荷區(qū)域中，形成所述受陷電荷區(qū)域。
21.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，其中所述受陷電荷區(qū)域的形成還包括將正向偏置經(jīng)過p+阱施加給n型隔離區(qū)，以提供加速到所述受陷電荷區(qū)域中的電子。
22.一種電阻器，包括：
襯底中的摻雜主體；
鄰近所述摻雜主體的受陷電荷區(qū)域，
其中所述受陷電荷區(qū)域中的受陷電荷的量控制所述摻雜主體的電阻值。
23.根據(jù)權(quán)利要求22的電阻器，其中所述受陷電荷區(qū)域包括在其間具有硅氮化物層的一對硅氧化物層，其中所述受陷電荷位于所述硅氮化物層中。
24.根據(jù)權(quán)利要求23的電阻器，還包括上層的硅氧化物層上的柵極層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
