1.一種控制孔徑不同開口的相對孔徑偏差比的方法，其中孔徑不同開口的工藝如下：

于目標材料層上依序形成蝕刻抵擋層、含硅材料層與圖案化光阻層，該圖案化光阻層具有孔徑不同的第一開口圖案與第二開口圖案；以及

依序進行蝕刻該含硅材料層、該蝕刻抵擋層與該目標材料層的步驟，以于對應該第一、該第二開口圖案的該目標材料層中分別形成第一開口與第二開口，其中該第一開口的孔徑與該第一開口圖案的孔徑的差異為第一孔徑差，該第二開口的孔徑與該第二開口圖案的孔徑的差異為第二孔徑差，而第二孔徑差與第一孔徑差之間的比值稱為相對孔徑偏差比，其中該第一開口圖案的孔徑大于該第二開口圖案的孔徑，

該方法包括：

以該圖案化光阻層為掩模，進行第一蝕刻步驟，將該圖案化光阻層的圖案轉移至該含硅材料層上，形成圖案化含硅材料層，并于該圖案化光阻層及該圖案化含硅材料層的側壁產生高分子膜；

以該圖案化光阻層、該圖案化含硅材料層及其側壁的該高分子膜為掩模，進行第二蝕刻步驟，以至少移除曝露出的該蝕刻抵擋層，而形成圖案化蝕刻抵擋層；

以該圖案化蝕刻抵擋層為蝕刻掩模，移除部分該目標材料層，于該目標材料層中形成該第一、該第二開口；以及

方法中通過調整該第一蝕刻步驟的蝕刻參數及/或該第二蝕刻步驟的蝕刻參數，以得到預設的相對孔徑偏差比。

2.如權利要求1所述的控制孔徑不同開口的相對孔徑偏差比的方法，其中該第二蝕刻步驟為進行過度蝕刻步驟，以于該圖案化蝕刻抵擋層中形成第一開口的擴口開口圖案。

3.如權利要求1所述的控制孔徑不同開口的相對孔徑偏差比的方法，其中該第二蝕刻步驟為進行適量蝕刻步驟，以于該圖案化蝕刻抵擋層中形成實質上垂直的開口圖案。

4.如權利要求1所述的控制孔徑不同開口的相對孔徑偏差比的方法，其中該第二蝕刻步驟為蝕刻不足步驟，移除曝露出的部分該蝕刻抵擋層；以及

進行第三蝕刻步驟，其為過度蝕刻步驟，移除殘留的該蝕刻抵擋層及其下方的部分該目標材料層。

5.如權利要求4所述的控制孔徑不同開口的相對孔徑偏差比的方法，其中該第三蝕刻步驟為非等向性蝕刻步驟。

6.如權利要求4所述的控制孔徑不同開口的相對孔徑偏差比的方法，其中該第三蝕刻步驟所使用的蝕刻氣體為含氟氣體。

7.如權利要求2所述的控制孔徑不同開口的相對孔徑偏差比的方法，其中該第二蝕刻步驟中通入含氟的烴類化合物作為蝕刻氣體，該含氟的烴類化合物為CHxFy，其中x＝1、2、3；y＝1、2、3。

8.如權利要求1所述的控制孔徑不同開口的相對孔徑偏差比的方法，其中調整該第一蝕刻步驟的蝕刻參數包括蝕刻氣體的流量。

9.如權利要求1所述的控制孔徑不同開口的相對孔徑偏差比的方法，其中調整該第二蝕刻步驟的蝕刻參數包括蝕刻時間。

10.如權利要求1所述的控制孔徑不同開口的相對孔徑偏差比的方法，其中該第一開口為共享接觸窗開口，且該第二開口為方形接觸窗開口。

11.如權利要求1所述的控制孔徑不同開口的相對孔徑偏差比的方法，其中該蝕刻抵擋層包括I-line光阻。

12.如權利要求1所述的控制孔徑不同開口的相對孔徑偏差比的方法，其中該含硅材料層為硬掩模底部抗反射層。

13.如權利要求1所述的控制孔徑不同開口的相對孔徑偏差比的方法，其中該圖案化光阻層為193納米光阻。

14.如權利要求1所述的控制孔徑不同開口的相對孔徑偏差比的方法，其中該目標材料層包括介電層。

15.如權利要求3所述的控制孔徑不同開口的相對孔徑偏差比的方法，其中該第二蝕刻步驟的蝕刻氣體為CO、O₂和CF₄。

16.如權利要求4所述的控制孔徑不同開口的相對孔徑偏差比的方法，其中該第二蝕刻步驟的蝕刻氣體為CO、O₂和CF₄。