[發(fā)明專利]結(jié)晶裝置以及結(jié)晶方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710163149.1 | 申請日： | 2007-10-10 |
| 公開（公告）號： | CN101312116A | 公開（公告）日： | 2008-11-26 |
| 發(fā)明（設計）人： | 秋田典孝;高見芳夫 | 申請（專利權(quán)）人： | 株式會社島津制作所 |
| 主分類號： | H01L21/00 | 分類號： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/268;H01L21/20;H01L21/336;B23K26/00;B23K26/06 |
| 代理公司： | 北京中原華和知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 | 代理人： | 壽寧;張華輝 |
| 地址： | 日本京都府京都*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 結(jié)晶 裝置 以及 方法 | ||
1.一種結(jié)晶裝置，其特征在于包括：
紫外光照射系統(tǒng)，將紫外光區(qū)的激光束脈沖照射到被處理基板上；以及
可見光照射系統(tǒng)，對被處理基板上的與所述紫外光區(qū)的激光束的照射區(qū)域相同的照射區(qū)域，連續(xù)照射可見光的激光束；并且
在因均勻地照射所述紫外光區(qū)的激光束而熔化的區(qū)域中，利用所述可見光激光束的光強度分布來形成晶體成長。
2.如權(quán)利要求1所述的結(jié)晶裝置，其特征在于：
所述紫外光照射系統(tǒng)包括準分子激光束源以及紫外光照明光學系統(tǒng)，此紫外光照明光學系統(tǒng)將從所述準分子激光束源發(fā)出的準分子激光束均勻地照射到基板上，
所述可見光照射系統(tǒng)包括可見光激光源、光強度分布形成裝置、以及成像光學系統(tǒng)，所述光強度分布形成裝置使從所述可見光激光束源發(fā)出的可見光激光束的光強度分布圖案化，所述成像光學系統(tǒng)使具有經(jīng)所述光強度分布形成裝置圖案化的光強度分布的光，成像在被處理基板上的所述照射區(qū)域中。
3.如權(quán)利要求2所述的結(jié)晶裝置，其特征在于：所述光強度分布形成裝置是光調(diào)制元件，此光調(diào)制元件使從可見光激光束源發(fā)出的可見光激光束的相位偏移，以改變光強度。
4.如權(quán)利要求2所述的結(jié)晶裝置，其特征在于：所述光強度分布形成裝置是金屬光圈，此金屬光圈遮蔽從可見光激光束源發(fā)出的可見光激光束的一部分，以改變光強度。
5.如權(quán)利要求1至4中任一項所述的結(jié)晶裝置，其特征在于：
借由所述被處理基板的非晶硅膜的吸收作用，所述紫外光照射系統(tǒng)使所述非晶硅膜熔化，
借由所述熔化的非晶硅膜的吸收作用，所述可見光照射系統(tǒng)使所述非晶硅膜結(jié)晶化。
6.一種結(jié)晶方法，其特征在于：
對被處理基板上的非晶硅膜均勻地脈沖照射紫外光區(qū)的激光束，以使所述非晶硅膜熔化，
使可見光的激光束的光強度分布圖案化，將所述圖案化的可見光的激光束重疊地照射到所述熔化的液化硅區(qū)域上，由此形成晶體成長。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
