1、一種缺陷檢查系統，在半導體制造工藝中檢查半導體的缺陷，其特征在于，具備：

電路設計數據存儲部，該電路設計數據存儲部存儲電路設計數據；

布局設計數據存儲部，該布局設計數據存儲部存儲圖案布局的設計數據；

時序解析部，該時序解析部從所述電路設計數據存儲部中讀出電路設計數據，抽出信號傳輸動作的精度要求比其它的部位高的電路上的關鍵路徑；

關鍵路徑抽出部，該關鍵路徑抽出部對從所述電路設計數據存儲部中讀出的電路設計數據、與從所述布局設計數據存儲部讀出的布局設計數據加以對照，抽出包含用所述時序解析部抽出的關鍵路徑的圖形數據；

關鍵路徑存儲部，該關鍵路徑存儲部存儲包含用所述關鍵路徑抽出部抽出的關鍵路徑的圖形數據；

檢查處置方案編制部，該檢查處置方案編制部根據所述關鍵路徑存儲部存儲的圖形數據的坐標信息，決定檢查部位；以及

SEM式缺陷評價裝置，該SEM式缺陷評價裝置按照所述檢查處置方案編制部編制的檢查處置方案，取得晶片上的檢查部位的圖象。

2、如權利要求1所述的缺陷檢查系統，其特征在于：還具備OPC危險部位存儲部，該OPC危險部位存儲部存儲對根據OPC掩模圖案進行光強度模擬而獲得的圖案預測形狀與所述布局設計數據加以比較后所抽出的OPC危險部位；

所述檢查處置方案編制部，根據從所述關鍵路徑存儲部讀出的關鍵路徑的信息和從所述OPC危險部位存儲部讀出的OPC危險部位的信息，將既是包含關鍵路徑的圖形數據又屬于OPC危險部位的部分，決定為檢查部位。

3、如權利要求2所述的缺陷檢查系統，其特征在于：還具備致命缺陷存儲部，該致命缺陷存儲部存儲對SEM式缺陷檢查裝置取得的缺陷圖象與從所述布局設計數據存儲部讀出的布局設計數據加以比較而抽出的致命缺陷的信息，

所述檢查處置方案編制部，將從所述致命缺陷存儲部讀出的致命缺陷附加到檢查部位。

4、如權利要求3所述的缺陷檢查系統，其特征在于：所述檢查處置方案編制部，將附加給檢查部位的致命缺陷，篩選成相當于從所述OPC危險部位存儲部中讀出的OPC危險部位。

5、如權利要求1所述的缺陷檢查系統，其特征在于：還具備致命缺陷存儲部，該致命缺陷存儲部存儲對SEM式缺陷檢查裝置取得的缺陷圖象與從所述布局設計數據存儲部讀出的布局設計數據加以比較而抽出的致命缺陷的信息；

所述檢查處置方案編制部，根據從所述關鍵路徑存儲部讀出的關鍵路徑的信息和從所述致命缺陷存儲部讀出的致命缺陷的信息，將既是包含關鍵路徑的圖形數據又屬于致命缺陷的部分，決定為檢查部位。

6、如權利要求5所述的缺陷檢查系統，其特征在于：還具備OPC危險部位存儲部，該OPC危險部位存儲部存儲對根據OPC掩模圖案進行光強度模擬所獲得的圖案預測形狀與所述布局設計數據加以比較而抽出的OPC危險部位；

所述檢查處置方案編制部，根據從所述OPC危險部位存儲部讀出的OPC危險部位的信息和從所述致命缺陷存儲部讀出的致命缺陷的信息，將既是OPC危險部位又屬于致命缺陷的部分，作為檢查部位附加。

7、如權利要求1所述的缺陷檢查系統，其特征在于，還具備：

致命缺陷存儲部，該致命缺陷存儲部存儲對SEM式缺陷檢查裝置取得的缺陷圖象與從所述布局設計數據存儲部讀出的布局設計數據加以比較而抽出的致命缺陷的信息；和

OPC危險部位存儲部，該OPC危險部位存儲部存儲對根據OPC掩模圖案進行光強度模擬所獲得的圖案預測形狀與所述布局設計數據加以比較而抽出的OPC危險部位；

所述檢查處置方案編制部，根據從所述OPC危險部位存儲部讀出的OPC危險部位的信息和從所述致命缺陷存儲部讀出的致命缺陷的信息，將既是OPC危險部位又屬于致命缺陷的部分，作為其它的檢查部位抽出，并從基于所述關鍵路徑存儲部存儲的圖形數據的坐標信息的檢查部位和所述其它的檢查部位中，選擇所述SEM式缺陷評價裝置的檢查部位。