1.在位于襯底上方但設置在聚合物硬掩模下方的介電層中蝕刻特征的方法，包括：

在聚合物硬掩模上方形成圖案化的光刻膠掩模；

將所述襯底置于等離子體加工室中；

通過光刻膠掩模在所述聚合物硬掩模中蝕刻掩模特征，包括：

在硬掩模中蝕刻帶有頸部的掩模特征，包括：

提供掩模蝕刻劑氣體；

由所述掩模蝕刻劑氣體產生等離子體；和

停止所述掩模蝕刻劑氣體的流動；和

處理所述帶有頸部的掩模特征以選擇性蝕刻掉頸部，包括：

提供含有氟烴的處理氣體，其中所述處理氣體和所述掩模蝕刻劑氣體不同；

由所述處理氣體產生等離子體；和

停止所述處理氣體的流動；

通過聚合物硬掩模在介電層中蝕刻特征，包括：

提供介電層蝕刻氣體，其中所述介電層蝕刻氣體和所述掩模蝕刻劑氣體以及處理氣體都不同；和

由介電層蝕刻氣體產生等離子體。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述聚合物硬掩模是無定形碳。

3.根據權利要求1所述的方法，進一步包括去除所述聚合物硬掩模。