1.一種通孔的形成方法，其特征在于，包括步驟：

提供襯底；

在所述襯底上形成刻蝕停止層；

在所述刻蝕停止層上形成介質層；

檢測所述介質層的厚度；

根據所述介質層的厚度確定隨后的刻蝕工藝的工藝條件；

在所述介質層上形成通孔圖形；

按照所述工藝條件對所述介質層進行刻蝕，使刻蝕停止于所述刻蝕停止層內，以形成通孔，所述刻蝕工藝條件包括根據刻蝕深度與刻蝕時間之間的線性關系，通過改變刻蝕時間來調整刻蝕深度。

2.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述介質層為低k值的介質層。

3.如權利要求1或2所述的形成方法，其特征在于：所述介質層為黑鉆石材料層。

4.如權利要求1或2所述的形成方法，其特征在于：所述介質層的厚度在3500至5000之間。

5.如權利要求1或2所述的形成方法，其特征在于：所述介質層利用化學氣相沉積方法形成。

6.如權利要求1或2所述的形成方法，其特征在于：所述工藝條件包括刻蝕時間。

7.如權利要求1或2所述的形成方法，其特征在于：所述工藝條件至少包括工作室氣壓，刻蝕氣體流量或刻蝕功率中的一種。

8.如權利要求1或2所述的形成方法，其特征在于：所述刻蝕停止層為含氮的碳化硅層。

9.一種雙鑲嵌結構的形成方法，其特征在于，包括步驟：

提供襯底；

在所述襯底上形成刻蝕停止層；

在所述刻蝕停止層上形成第一介質層；

檢測所述第一介質層的厚度；

根據所述第一介質層的厚度確定隨后的刻蝕工藝的工藝條件；

在所述第一介質層上形成通孔圖形；

按照所述工藝條件對所述第一介質層進行刻蝕，使刻蝕停止于所述刻蝕停止層內，以形成通孔，所述刻蝕工藝條件包括根據刻蝕深度與刻蝕時間之間的線性關系，通過改變刻蝕時間來調整刻蝕深度；

在所述第一介質層上及通孔內形成第二介質層；

在所述第二介質層上形成溝槽圖形；

刻蝕形成與至少一個通孔相連的溝槽。

10.如權利要求9所述的形成方法，其特征在于：所述第一介質層為低k值的介質層。

11.如權利要求9或10所述的形成方法，其特征在于：所述第一介質層為黑鉆石材料層。

12.如權利要求9或10所述的形成方法，其特征在于：所述第一介質層的厚度在3500至5000之間。

13.如權利要求9或10所述的形成方法，其特征在于：所述第一介質層利用化學氣相沉積方法形成。

14.如權利要求9或10所述的形成方法，其特征在于：所述刻蝕停止層為含氮的碳化硅層。

15.如權利要求9或10所述的形成方法，其特征在于：所述工藝條件包括刻蝕時間。

16.如權利要求9或10所述的形成方法，其特征在于：所述工藝條件至少包括工作室氣壓，刻蝕氣體流量或刻蝕功率中的一種。

17.如權利要求9或10所述的形成方法，其特征在于：所述第二介質層利用旋涂方法形成。