[發明專利]一種第一層金屬的制作方法無效

申請號：	200710044550.3	申請日：	2007-08-03
公開（公告）號：	CN101359617A	公開（公告）日：	2009-02-04
發明（設計）人：	王學娟;劉杰;周文磊;何萍	申請（專利權）人：	中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
主分類號：	H01L21/768	分類號：	H01L21/768
代理公司：	上海智信專利代理有限公司	代理人：	王潔
地址：	2012***	國省代碼：	上海;31
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種一層金屬制作方法
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【權利要求書】：

1、一種第一層金屬的制作方法，該第一層金屬制作在已制成接觸孔的半導體器件上，且其從下至上依次包括一粘附層和一擴散阻擋層，該制作方法包括以下步驟：(1)去除自然氧化層；(2)制作粘附層；(3)制作擴散阻擋層；其特征在于，該方法在步驟(1)與步驟(2)間還進行熱處理步驟，其中，該熱處理的溫度范圍為350到680攝氏度，時間范圍為30到60秒。

2、如權利要求1所述的第一層金屬的制作方法，其特征在于，該熱處理的溫度為680攝氏度，時間為30秒。

3、如權利要求1所述的第一層金屬的制作方法，其特征在于，在步驟(1)中，通過氫氟酸溶液去除該自然氧化層，該自然氧化層的厚度為40埃。

4、如權利要求1所述的第一層金屬的制作方法，其特征在于，該粘附層為鈦，其厚度為100埃。

5、如權利要求1所述的第一層金屬的制作方法，其特征在于，該擴散阻擋層為氮化鈦，其厚度為200埃。

6、如權利要求1所述的第一層金屬的制作方法，其特征在于，該半導體器件為動態隨機存儲器。

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