1.一種貼合基板的制造方法，是貼合有源層用晶圓與支撐基板用晶圓而成的貼合基板的制造方法，其特征是具備：

第一制程，是在前述有源層用晶圓的表面，沿著外周部，在整個圓周的內(nèi)側(cè)，通過水噴射導引式雷射加工來設置溝槽；

第二制程，是以設置有前述溝槽的面作為貼合面，來貼合前述有源層用晶圓與前述支撐基板用晶圓；及

第三制程，是將前述有源層用晶圓薄膜化，并除去前述有源層用晶圓的溝槽外側(cè)的未結(jié)合部分。

2.如權(quán)利要求1所述的貼合基板的制造方法，其中前述有源層用晶圓的薄膜化，是通過磨削前述有源層用晶圓的背面，直到自前述表面形成的溝槽部為止來進行。

3.如權(quán)利要求1所述的貼合基板的制造方法，其中前述有源層用晶圓的薄膜化，是通過在前述第一制程或第二制程之前，預先自前述有源層用晶圓的貼合面，以不超過前述溝槽部的深度的方式，進行離子植入，來設置離子植入層，且在前述第三制程中，通過剝離熱處理而利用前述離子植入層將前述有源層用晶圓剝離來進行。

4.如權(quán)利要求1所述的貼合基板的制造方法，其中前述有源層用晶圓與前述支撐基板用晶圓的貼合，是通過形成于其中一方或雙方的表面上的氧化膜來進行。

5.如權(quán)利要求2所述的貼合基板的制造方法，其中前述有源層用晶圓與前述支撐基板用晶圓的貼合，是通過形成于其中一方或雙方的表面上的氧化膜來進行。

6.如權(quán)利要求3所述的貼合基板的制造方法，其中前述有源層用晶圓與前述支撐基板用晶圓的貼合，是通過形成于其中一方或雙方的表面上的氧化膜來進行。

7.如權(quán)利要求1至6中任一項所述的貼合基板的制造方法，其中在前述有源層用晶圓的表面，沿著外周部，設置在內(nèi)側(cè)的溝槽，是設置于自外周部往內(nèi)側(cè)1～2毫米的位置。

8.如權(quán)利要求1至6中任一項所述的貼合基板的制造方法，其中在前述有源層用晶圓的表面，沿著外周部，設置在內(nèi)側(cè)的溝槽，是在鏡面研磨前述有源層用晶圓之前設置，且在設置該溝槽后，進行前述有源層用晶圓的鏡面研磨。

9.如權(quán)利要求7所述的貼合基板的制造方法，其中在前述有源層用晶圓的表面，沿著外周部，設置在內(nèi)側(cè)的溝槽，是在鏡面研磨前述有源層用晶圓之前設置，且在設置該溝槽后，進行前述有源層用晶圓的鏡面研磨。

10.如權(quán)利要求1至6中任一項所述的貼合基板的制造方法，其中在前述有源層用晶圓的表面，沿著外周部，設置在內(nèi)側(cè)的溝槽，是在鏡面研磨前述有源層用晶圓后設置。

11.如權(quán)利要求7所述的貼合基板的制造方法，其中在前述有源層用晶圓的表面，沿著外周部，設置在內(nèi)側(cè)的溝槽，是在鏡面研磨前述有源層用晶圓后設置。